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ZHCSYK3 July 2025 TMF0008

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

LP|3
- MSOT002E
PS|8
- MSOP001A

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

PS|8
- QFND376

訂購(gòu)信息

5.6 時(shí)序要求

最小值和最大值規(guī)格的適用范圍為 -10°C 的 T_A 至 85°C。典型值規(guī)格的適用條件為 25°C 且 V_PUP = 3.3V 和 5V（除非另有說(shuō)明）。

			最小值	標(biāo)稱值	最大值	單位
IO 引腳：一般數(shù)據(jù)
t_STARTUP	啟動(dòng)時(shí)間	在器件使用存在脈沖響應(yīng)之前 SDQ 必須為高電平的最短時(shí)間		10		ms
t_REC	恢復(fù)時(shí)間	標(biāo)準(zhǔn)速度⁽¹⁾、⁽²⁾	5			μs
t_REC	恢復(fù)時(shí)間	超速⁽¹⁾、⁽²⁾	5			μs
t_REH	上升沿延遲時(shí)間	標(biāo)準(zhǔn)速度⁽¹⁾、⁽²⁾	0.5		5	μs
t_SLOT	時(shí)隙持續(xù)時(shí)間	標(biāo)準(zhǔn)速度⁽³⁾	65			μs
t_SLOT	時(shí)隙持續(xù)時(shí)間	超速⁽³⁾	11			μs
IO 引腳：?jiǎn)尉€復(fù)位、存在檢測(cè)周期
t_RSTL	復(fù)位低電平時(shí)間	標(biāo)準(zhǔn)速度	480		550	μs
t_RSTL	復(fù)位低電平時(shí)間	超速	48		80	μs
t_PDH	存在檢測(cè)高電平脈沖	標(biāo)準(zhǔn)速度	15		60	μs
t_PDH	存在檢測(cè)高電平脈沖	超速	2		6	μs
t_PDL	存在檢測(cè)低電平時(shí)間	標(biāo)準(zhǔn)速度	60		240	μs
t_PDL	存在檢測(cè)低電平時(shí)間	超速	8		24	μs
t_PDS	存在檢測(cè)采樣時(shí)間⁽⁴⁾、⁽⁵⁾	標(biāo)準(zhǔn)速度	60	70	75	μs
t_PDS	存在檢測(cè)采樣時(shí)間⁽⁴⁾、⁽⁵⁾	超速	6	8.7	10	μs
IO 引腳：?jiǎn)尉€寫入
t_W0L	寫入“0”低電平時(shí)間	標(biāo)準(zhǔn)速度⁽⁶⁾	60		120	μs
t_W0L	寫入“0”低電平時(shí)間	超速⁽⁶⁾	6		15.5	μs
t_W1L	寫入“1”低電平時(shí)間	標(biāo)準(zhǔn)速度⁽⁶⁾	1		15	μs
t_W1L	寫入“1”低電平時(shí)間	超速⁽⁶⁾	1		2	μs
IO 引腳：?jiǎn)尉€讀取
t_RL	讀取低電平時(shí)間	標(biāo)準(zhǔn)速度⁽²⁾、⁽⁷⁾	5		15 - t_RC	μs
t_RL	讀取低電平時(shí)間	超速⁽²⁾、⁽⁷⁾	1		2 - t_RC	μs
t_RDS	讀取采樣時(shí)間⁽⁸⁾	標(biāo)準(zhǔn)速度⁽²⁾、⁽⁷⁾	t_RL + t_RC		15	μs
t_RDS	讀取采樣時(shí)間⁽⁸⁾	超速⁽²⁾、⁽⁷⁾	t_RL + t_RC		3	μs
FRAM
NCY	寫入/擦除周期（耐寫次數(shù)）⁽²⁾				1M	周期
t_PROG	編程時(shí)間⁽²⁾	對(duì)于所有 7.5Kb 存儲(chǔ)器			1	ms
t_DR	數(shù)據(jù)保留⁽⁹⁾	80°C 時(shí)		10		年
t_DR	數(shù)據(jù)保留⁽⁹⁾	85°C 時(shí)		7		年

(1) 在主機(jī)將 SDQ 驅(qū)動(dòng)至邏輯 0 電平時(shí)，SDQ 上的電壓需要始終小于或等于 V_ILMAX。

(2) 只由設(shè)計(jì)、特性分析或仿真指定。未經(jīng)生產(chǎn)測(cè)試。

(3) 定義了比特率的最大可能值。

(4) 如果存在 TMF0008，則在 t_RSTL 之后的時(shí)間間隔內(nèi)，總線主機(jī)可讀取 SDQ 上的邏輯 0。存在檢測(cè)脈沖可以在此時(shí)間間隔之外，但會(huì)在上電后 2ms 內(nèi)完成。這種行為解決了單線器件長(zhǎng)時(shí)間斷電（總線低電平）的情況。然后，施加總線電源。允許器件發(fā)生故障，并生成一個(gè)違反存在時(shí)序規(guī)格的存在脈沖。然而，異常情況通常會(huì)在 10ms 內(nèi)解決。

(5) 系統(tǒng)要求

(6) 圖 6-17 和圖 6-18 中的 t_ε 表示上拉電路將 SDQ 引腳上的電壓從 V_IL 提高到 V_TH 所需的時(shí)間。因此，主機(jī)將線路拉至低電平的實(shí)際最大持續(xù)時(shí)間分別為 t_W1LMAX + t_F – t_ε 和 t_W0LMAX + t_F – t_ε。

(7) 圖 6-19 中的 t_RC 表示上拉電路將 SDQ 引腳的電壓從 V_IL 提高到主機(jī)器件輸入高電平閾值所需的時(shí)間。因此，主機(jī)將線路拉至低電平的實(shí)際最大持續(xù)時(shí)間為 t_RLMAX + t_F。

(8) 指在前一個(gè)上升沿達(dá)到 V_TH 后，能夠識(shí)別負(fù)邊沿的最短時(shí)間。

(9) 數(shù)據(jù)保留時(shí)間隨著 T_A 增加而降低。不建議在高溫下長(zhǎng)期貯存。