ZHCSYK3 July 2025 TMF0008
PRODUCTION DATA
表 6-1 是 TMF0008 7680 位 FRAM 部分的存儲器映射，配置為 30 頁、每頁 32 字節(jié)。四個相鄰頁構(gòu)成一個 128 字節(jié)塊。對 FRAM 存儲器進(jìn)行編程時，使用 32 字節(jié)的易失性暫存緩沖區(qū)。寫入 FRAM 存儲器的過程包括兩個步驟：首先，將數(shù)據(jù)寫入暫存緩沖區(qū)；然后，通過讀取確認(rèn)正確接收數(shù)據(jù)的暫存緩沖區(qū)來驗證數(shù)據(jù)。如果緩沖區(qū)內(nèi)容正確，則發(fā)出“復(fù)制暫存區(qū)”命令，將暫存緩沖區(qū)復(fù)制到 FRAM 存儲器。在對存儲器進(jìn)行編程時，該過程會驗證數(shù)據(jù)完整性。有關(guān)對 TMF0008 的 7680 位 FRAM 部分進(jìn)行編程和讀取的詳細(xì)信息，請參見本數(shù)據(jù)表的存儲器功能命令 部分。
| 地址范圍 | 類型(1) | 說明 | 保護(hù)代碼（注釋） |
|---|---|---|---|
| 0000h 至 007Fh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 0 至 3（塊 0） | （保護(hù)由地址 03C0h 控制） |
| 0080h 至 00FFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 4 至 7（塊 1） | （保護(hù)由地址 03C1h 控制） |
| 0100h 至 017Fh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 8 至 11（塊 2） | （保護(hù)由地址 03C2h 控制） |
| 0180h 至 01FFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 12 至 15（塊 3） | （保護(hù)由地址 03C3h 控制） |
| 0200h 至 027Fh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 16 至 19（塊 4） | （保護(hù)由地址 03C4h 控制） |
| 0280h 至 02FFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 20 至 23（塊 5） | （保護(hù)由地址 03C5h 控制） |
| 0300h 至 037Fh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 24 至 27（塊 6） | （保護(hù)由地址 03C6h 控制） |
| 0380h 至 03BFh | R/(W) | 數(shù)據(jù)內(nèi)存頁 28 至 29（塊 7） | （保護(hù)由地址 03C7h 控制） |