ZHCSEU4A March 2016 – March 2016 TLV2314 , TLV314 , TLV4314
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 技術(shù)規(guī)格
- 8 詳細(xì) 說明
- 9 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局布線
- 12器件和文檔支持
- 13機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7 技術(shù)規(guī)格
7.1 絕對最大額定值
在自然通風(fēng)溫度范圍內(nèi)測得（除非另有說明）(1)| 最小值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 電源電壓 | 7 | V | ||
| 信號(hào)輸入引腳 | 電壓(2) | (V–) – 0.5 | (V+) + 0.5 | V |
| 電流(2) | -10 | 10 | mA | |
| 輸出短路(3) | 連續(xù) | mA | ||
| 溫度 | 指定溫度，TA | -40 | 125 | °C |
| 結(jié)溫，TJ | 150 | |||
| 存儲(chǔ)溫度，Tstg | -65 | 150 | ||
(1) 超過這些額定值的應(yīng)力有可能造成永久損壞。長時(shí)間處于最大絕對額定情況下會(huì)降低設(shè)備的可靠性。這些只是應(yīng)力額定值，在這些值或者任何超過那些所標(biāo)明的條件下的功能運(yùn)行并未注明。
(2) 輸入引腳被二極管鉗制至電源軌。擺幅超過電源軌 0.5V 的輸入信號(hào)的電流必須限制在 10mA 或者更少。
(3) 對地短路，每個(gè)封裝對應(yīng)一個(gè)放大器。
7.2 ESD 額定值
| 值 | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|
| V(ESD) | 靜電放電 | 人體放電模式 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) | ±4000 | V |
| 充電器件模式 (CDM)，符合 JEDEC 規(guī)范 JESD22-C101(2) | ±1000 | |||
(1) JEDEC 文檔 JEP155 規(guī)定：500V HBM 能夠在標(biāo)準(zhǔn) ESD 控制流程下安全生產(chǎn)。
(2) JEDEC 文檔 JEP157 規(guī)定：250V CDM 能夠在標(biāo)準(zhǔn) ESD 控制流程下安全生產(chǎn)。
7.3 建議的工作條件
在自然通風(fēng)條件下的工作溫度范圍內(nèi)（除非另有說明）| 最小值 | 標(biāo)稱值 | 最大值 | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| VS | 電源電壓 | 單電源 | 1.8 | 5.5 | V | |
| 雙電源 | ±0.9 | ±2.75 | ||||
| 指定溫度范圍 | -40 | 125 | °C | |||
7.4 熱性能信息：TLV314
| 熱指標(biāo)(1) | TLV314 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| DBV (SOT-23) | DCK (SC70) | |||
| 5 引腳 | 5 引腳 | |||
| RθJA | 結(jié)至環(huán)境熱阻 | 228.5 | 281.4 | °C/W |
| RθJC(top) | 結(jié)至芯片外殼（頂部）熱阻 | 99.1 | 91.6 | °C/W |
| RθJB | 結(jié)至電路板熱阻 | 54.6 | 59.6 | °C/W |
| ψJT | 結(jié)至頂部的特征參數(shù) | 7.7 | 1.5 | °C/W |
| ψJB | 結(jié)至電路板的特征參數(shù) | 53.8 | 58.8 | °C/W |
(1) 有關(guān)傳統(tǒng)和新熱指標(biāo)的更多信息，請參見《半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo)》應(yīng)用報(bào)告，SPRA953。
7.5 熱性能信息：TLV2314
| 熱指標(biāo)(1) | TLV2314 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| D (SOIC) | DGK (VSSOP) | |||
| 8 引腳 | 8 引腳 | |||
| RθJA | 結(jié)至環(huán)境熱阻 | 138.4 | 191.2 | °C/W |
| RθJC(top) | 結(jié)至芯片外殼（頂部）熱阻 | 89.5 | 61.9 | °C/W |
| RθJB | 結(jié)至電路板熱阻 | 78.6 | 111.9 | °C/W |
| ψJT | 結(jié)至頂部的特征參數(shù) | 29.9 | 5.1 | °C/W |
| ψJB | 結(jié)至電路板的特征參數(shù) | 78.1 | 110.2 | °C/W |
(1) 有關(guān)傳統(tǒng)和新熱指標(biāo)的更多信息，請參見《半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo)》應(yīng)用報(bào)告，SPRA953。
7.6 熱性能信息：TLV4314
| 熱指標(biāo)(1) | TLV4314 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| D (SOIC) | PW (TSSOP) | |||
| 14 引腳 | 14 引腳 | |||
| RθJA | 結(jié)至環(huán)境熱阻 | 93.2 | 121 | °C/W |
| RθJC(top) | 結(jié)至芯片外殼（頂部）熱阻 | 51.8 | 49.4 | °C/W |
| RθJB | 結(jié)至電路板熱阻 | 49.4 | 62.8 | °C/W |
| ψJT | 結(jié)至頂部的特征參數(shù) | 13.5 | 5.9 | °C/W |
| ψJB | 結(jié)至電路板的特征參數(shù) | 42.2 | 62.2 | °C/W |
(1) 有關(guān)傳統(tǒng)和新熱指標(biāo)的更多信息，請參見《半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo)》應(yīng)用報(bào)告，SPRA953。
7.7 電氣特性
VS = 1.8V 至 5.5V；TA = 25°C 時(shí)，RL = 10kΩ 連接至 VS/2，VCM = VS/2，且 VOUT = VS/2（除非另外注明）(1)| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 偏移電壓 | |||||||
| VOS | 輸入失調(diào)電壓 | VCM = (VS+) – 1.3V，TA = 25°C | ±0.75 | ±3 | mV | ||
| dVOS/dT | VOS 與溫度間的關(guān)系 | TA=-40°C 至 +125°C | 2 | μV/°C | |||
| PSRR | 電源抑制比 | VCM = (VS+) – 1.3V，TA = 25°C | ±30 | ±135 | µV/V | ||
| 通道分離，直流 | 直流時(shí)，TA = 25°C | 100 | dB | ||||
| 輸入電壓范圍 | |||||||
| VCM | 共模電壓范圍 | TA = 25°C | (V-)-0.2 | (V+)+0.2 | V | ||
| CMRR | 共模抑制比 | VS = 5.5V，(VS–) – 0.2V < VCM < (VS+) – 1.3V， TA = 25°C |
72 | 96 | dB | ||
| VS=5.5V，VCM=–0.2V 至 5.7V(2)，TA = 25°C | 75 | ||||||
| 輸入偏置電流 | |||||||
| IB | 輸入偏置電流 | TA = 25°C | ±1.0 | pA | |||
| IOS | 輸入失調(diào)電流 | TA = 25°C | ±1.0 | pA | |||
| 噪聲 | |||||||
| 輸入電壓噪聲（峰值至峰值） | f=0.1Hz 至 10Hz，TA = 25°C | 5 | μVPP | ||||
| en | 輸入電壓噪聲密度 | f=10kHz，TA = 25°C | 15 | nV/√Hz | |||
| f = 1kHz，TA = 25°C | 16 | ||||||
| in | 輸入電流噪聲密度 | f=1kHz，TA = 25°C | 6 | fA/√Hz | |||
| 輸入電容值 | |||||||
| CIN | 輸入電容 | 差動(dòng) | VS = 5V，TA = 25°C | 1 | pF | ||
| 共模 | VS = 5V，TA = 25°C | 5 | |||||
| 開環(huán)增益 | |||||||
| AOL | 開環(huán)電壓增益 | VS = 1.8V 至 5.5V，0.2V < VO < (V+) – 0.2V， RL = 10kΩ，TA = 25°C |
85 | 115 | dB | ||
| VS = 1.8V 至 5.5V，0.5V < VO < (V+) – 0.5V， RL = 2kΩ(2)，TA = 25°C |
85 | 100 | |||||
| 相補(bǔ)角 | VS = 5V，G = 1，RL = 10kΩ，TA = 25°C | 65 | ° | ||||
| 頻率響應(yīng) | |||||||
| GBW | 帶寬增益產(chǎn)品 | VS=1.8V，RL=10kΩ，CL=10pF，TA = 25°C | 2.7 | MHz | |||
| VS = 5V，RL = 10kΩ，CL = 10pF，TA = 25°C | 3 | ||||||
| SR | 轉(zhuǎn)換速率(3) | VS = 5V，G = 1，TA = 25°C | 1.5 | V/μs | |||
| tS | 穩(wěn)定時(shí)間 | 至 0.1%，VS = 5V，2V 步進(jìn)，G = 1，TA = 25°C | 3 | μs | |||
| 過載恢復(fù)時(shí)間 | VS = 5V，VIN × 增益 > VS，TA = 25°C | 8 | μs | ||||
| THD+N | 總諧波失真 + 噪聲(4) | VS = 5V，VO = 1VRMS，G = 1，f = 1kHz， RL = 10kΩ，TA = 25°C |
0.005% | ||||
| 輸出 | |||||||
| VO | 自電源軌的電壓輸出擺幅 | VS = 1.8V 至 5.5V，RL = 10kΩ，TA = 25°C | 5 | 25 | mV | ||
| VS = 1.8V 至 5.5V，RL = 2kΩ，TA = 25°C | 22 | 45 | |||||
| ISC | 短路電流 | VS = 5V，TA = 25°C | ±20 | mA | |||
| RO | 開環(huán)輸出阻抗 | VS=5.5V，f=100Hz，TA = 25°C | 570 | Ω | |||
| 電源 | |||||||
| VS | 額定電壓范圍 | 1.8 | 5.5 | V | |||
| IQ | 每個(gè)放大器的靜態(tài)電流，過熱 | VS = 5V，IO = 0mA，TA = –40°C 至 +125°C | 150 | 250 | µA | ||
| 溫度 | |||||||
| 額定溫度范圍 | -40 | 125 | °C | ||||
| Tstg | 儲(chǔ)存溫度 | -65 | 150 | °C | |||
(1) 除非另外注明，否則具有最大或最小規(guī)格限值的參數(shù)均在 25ºC 下經(jīng)過 100% 生產(chǎn)檢測。過熱限值基于特性和統(tǒng)計(jì)分析。
(2) 由設(shè)計(jì)和特性指定；未經(jīng)生產(chǎn)測試。
(3) 表示正或負(fù)轉(zhuǎn)換率的較低值。
(4) 三階濾波器；-3dB 時(shí)的帶寬 = 80kHz。
7.8 典型特性
Table 1. 圖形列表
| 標(biāo)題 | 圖表 |
|---|---|
| 開環(huán)增益和相位與頻率間的關(guān)系 | Figure 1 |
| 靜態(tài)電流與電源電壓間的關(guān)系 | Figure 2 |
| 偏移電壓產(chǎn)品分布 | Figure 3 |
| 偏移電壓與共模電壓間的關(guān)系（最大電源） | Figure 4 |
| 輸入電壓噪聲頻譜密度與頻率間的關(guān)系 (1.8V，5.5V) | Figure 5 |
| 輸入偏置和偏移電流與溫度間的關(guān)系 | Figure 6 |
| 輸出電壓擺幅與輸出電流間的關(guān)系（過熱） | Figure 7 |
| 小信號(hào)過沖與負(fù)載電容間的關(guān)系 | Figure 8 |
| 小信號(hào)階躍響應(yīng)，同相 (1.8V) | Figure 9 |
| 大信號(hào)階躍響應(yīng)，同相 (1.8V) | Figure 10 |
| 無相位反轉(zhuǎn) | Figure 11 |
| 通道分離與頻率間的關(guān)系（雙路） | Figure 12 |
| 電磁干擾抑制比 (EMIRR) | Figure 13 |
7.9 典型特性
TA = 25°C 時(shí)，RL = 10kΩ 連接至 VS/2，VCM = VS/2，且 VOUT = VS/2（除非另外注明）
| RL = 10kΩ 和 10pF，VS = ±2.5V |
頻率間的關(guān)系
| VS = ±2.75V |
（過熱）
| VS = ±0.9V，增益 = 1V/V，RF = 10kΩ |
| PRF = –10dBm，VS = ±2.5V，VCM = 0V |
電磁干擾抑制比 (EMIRR IN+) 與頻率間的關(guān)系
| 典型單位，VS = ±2.75V |
| VS = ±2.75V，增益 = 1V/V，RL = 10kΩ |
| VS = ±0.9V，增益 = 1V/V，RL = 10kΩ |
| VS = ±2.75V |