與所有高速器件類似，可以通過精心設計電路板布局布線來實現出色的系統性能。對于 THS4541-DIE，一般高速信號路徑布局建議包括：
- 在器件電源引腳的接地平面上使用完好的高頻去耦電容器 (0.1μF)。需要值更高的電容器 (2.2μF)，但可以將其放置在離器件電源引腳更遠的位置并在器件之間共享。還應在兩個電源之間添加一個電源去耦電容器（適用于雙極性工作模式）。為獲得良好的高頻去耦效果，請考慮使用 X2Y 電源去耦電容器，以提供比標準電容器高得多的自諧振頻率。
- 對于每個 THS4541-DIE，將一個單獨的 0.1μF 電容器連接到附近的接地平面。對于級聯或多個并聯通道，包括來自較大電容器的鐵氧體磁珠通常對局部高頻去耦電容器有用。
- 在任何可感知距離上使用差分信號路由時，請使用具有匹配阻抗引線的微帶布局技術。
- 輸入求和點對寄生電容非常敏感。以極小的到電阻器器件引腳側的布線長度將任何 Rg 元件連接到求和點。如果需要連接到源或接地端，則 Rg 元件的另一側可能具有更大的布線長度。