TCAN285x-Q1 可以控制 β 值介于 50 至 500 之間的外部 PNP 功率晶體管,從而通過(guò) VEXCC 輸出支持更高的電流和更寬泛的電壓需求。
TCAN285x-Q1 可以支持 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V 輸出。可以使用 SPI 寄存器 8'h0D[2:0] 選擇電壓,電壓默認(rèn)為 1.8V。VEXCC 上有三個(gè)監(jiān)測(cè)器:欠壓 (UVEXCC)、過(guò)壓 (OVEXCC) 和接地短路 (VEXCC
SC)。在配置寄存器 8'h0D[5:4] 之前,外部 PNP 不會(huì)導(dǎo)通并默認(rèn)為關(guān)斷。當(dāng) VEXCC 開(kāi)啟且未處于故障狀態(tài)時(shí),寄存器 8'h4F[3] 的 VEXCC_STATUS 通過(guò)設(shè)置為 1b 來(lái)指示這一點(diǎn)。選擇負(fù)載共享后,器件會(huì)自動(dòng)配置電壓電平以匹配 VCC1 電壓并遵循 VCC1 的編程狀態(tài)。
分流電阻器 Rshunt 位于 VSUP 和 VEXMON 之間,并根據(jù)配置用于兩個(gè)用途。當(dāng)用作獨(dú)立配置時(shí),請(qǐng)參見(jiàn)圖 8-6,Rshunt 設(shè)置 PNP FET 的電流限制。必須根據(jù)應(yīng)用的電流限制要求選擇 Rshunt 的值。該電阻器的值由 VSHUNTH 閾值除以所需的電流限制來(lái)確定,即 VSHUNTH/IVEXCC-LIM,其中 IVEXCC-LIM 是所需的電流限制值。
當(dāng)配置為和 VCC1 進(jìn)行負(fù)載共享時(shí),請(qǐng)參閱圖 8-7,電阻器 Rshnut 設(shè)置 VEXCC 和 VCC1 之間的電流比。請(qǐng)參閱方程式 1 和方程式 2,以確定如何計(jì)算 Rshunt 值。
如果尚未使用下線編程對(duì) TCAN285x-Q1 進(jìn)行編程以實(shí)現(xiàn) VCC1 和 VEXCC 負(fù)載共享,則可以使用以下步驟對(duì)器件進(jìn)行編程以實(shí)現(xiàn)負(fù)載共享:
- 在 VCC1 短接至電路板上的 EXVCC 時(shí)為器件上電;器件上電并進(jìn)入待機(jī)模式
- 將 VEXCC 電壓配置寄存器 8'h0D[2:0] 設(shè)置為正確的電壓設(shè)置。該設(shè)置必須與 VCC1 設(shè)置相同(僅限 3.3V 或 5V)
- 設(shè)置 VEXT_CFG、VEXCC 配置寄存器 8'h0D[5:4] 以匹配 VCC1_CFG 設(shè)置
- 等待 5ms 讓輸出穩(wěn)定,讀取 8'h4F[3] 的 VEXCC_STATUS 以確認(rèn) VEXCC 處于穩(wěn)壓狀態(tài)
- 通過(guò)寄存器 8'h0D[2:0] = 100b 啟用 VEXCC 的負(fù)載共享
- 如果負(fù)載共享配置未保存到 EEPROM,并且器件發(fā)生 POR 事件,請(qǐng)重復(fù)步驟 1 至步驟 5。
方程式 1.
方程式 2.
注: 1.為 ECU 外部負(fù)載供電時(shí),建議使用串聯(lián)電阻 RPROT = 100Ω,以確保 EMC 穩(wěn)健性
注: - 外部 PNP 晶體管的功率處理能力是特定于應(yīng)用的,因此必須根據(jù)所選 PNP 器件以及 PCB 屬性進(jìn)行設(shè)計(jì)以防止熱損壞,因?yàn)?SBC 無(wú)法確保外部 PNP 晶體管的熱保護(hù)。
- 為了限制通過(guò)外部 PNP 晶體管的電流,請(qǐng)使用 Rshunt 將 VEXMON 引腳連接到和器件 VSUP 引腳連接的同一電源軌,如圖 8-6 所示。
- 如果外部 PNP 集電極連接到不同的電壓軌,則該器件無(wú)法提供電流限制能力。為了避免出現(xiàn)問(wèn)題,必須使用 SBC_CONFIG 寄存器 8'h0C[6] VEXCC_ILIM_DIS = 1b 來(lái)禁用電流限制。禁用電流限制不會(huì)禁用過(guò)壓、欠壓或短路檢測(cè)。