8.3 初始化設(shè)置
器件加電后,通過施加持續(xù)時(shí)間大于 30μs 的低電平有效脈沖來實(shí)施器件復(fù)位。
寫入以下寄存器來設(shè)置器件在所需條件下運(yùn)行。
- 寫入 NUM_SUB_FRAMES 和 NUM_AVG_SUB_FRAMES 寄存器,將器件設(shè)置為以所需的采樣率運(yùn)行。
- 通過寫入 IAMB_MAX_SEL 選擇要支持的最大環(huán)境電流。
- 如果需要,啟用自適應(yīng) HDR 模式:EN_ADAPTIVE_HDR。
- 寫入照明 DAC 電流 ILLUM_DAC_L_TX0 和 ILLUM_DAC_H_TX0。
- 編程自適應(yīng) HDR 閾值:HDR_THR_LOW 和 HDR_THR_HIGH。
- 加載所有校準(zhǔn)設(shè)置:照明串?dāng)_、相位偏移、相位溫度系數(shù)和相位環(huán)境系數(shù)。
- 如果外部參考 CLK 連接到 GP2,則啟用頻率校準(zhǔn):EN_AUTO_FREQ_COUNT = 1,EN_FLOOP = 1,EN_FREQ_CORR = 1,SYS_CLK_DIVIDER = round(log2(40×106/fEXT)),REF_COUNT_LIMIT = 214 × (40×106 / 2SYS_CLK_DIV)/fEXT,EN_CONT_FCALIB = 1
- 啟用片上溫度轉(zhuǎn)換:EN_TEMP_CONV = 1
- 寫入 I2C 主機(jī)設(shè)置以讀取系統(tǒng)中可能存在的外部溫度傳感器。寄存器設(shè)置如Table 26 所示。
- 通過設(shè)置 TG_EN = 1 來啟用時(shí)序發(fā)生器
- 通過先后設(shè)置 INT_XTALK_CALIB = 1 和 INT_XTALK_CALIB = 0 來執(zhí)行內(nèi)部串?dāng)_校正。