ZHCSF91B November 2015 – December 2024 LMR14030-Q1
PRODUCTION DATA
LMR14030-Q1 通過(guò)針對(duì)高側(cè) MOSFET 峰值電流的逐周期電流限制在過(guò)流情況下受到保護(hù)。高側(cè) MOSFET 過(guò)流保護(hù)是通過(guò)峰值電流模式控制的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)的。每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)，高側(cè)開(kāi)關(guān)電流會(huì)與誤差放大器 (EA) 減去斜坡補(bǔ)償?shù)妮敵鲞M(jìn)行比較。有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱功能方框圖。高側(cè)開(kāi)關(guān)的峰值電流由恒定的最大鉗位峰值電流閾值限制，因此，高側(cè)開(kāi)關(guān)的峰值電流限制不受斜率補(bǔ)償影響，在整個(gè)占空比范圍內(nèi)保持恒定。
LMR14030-Q1 還實(shí)現(xiàn)了頻率折返，以便在嚴(yán)重過(guò)流或短路情況下保護(hù)轉(zhuǎn)換器。隨著 FB 引腳電壓降至 VREF 的 75%、50% 和 25%，振蕩器頻率會(huì)進(jìn)行 2、4 和 8 分頻。頻率折返通過(guò)增加開(kāi)關(guān)周期來(lái)延長(zhǎng)關(guān)斷時(shí)間，以便為電感器電流下降提供更多時(shí)間，并降低平均電感器電流。較低的頻率還意味著較低的開(kāi)關(guān)損耗。頻率折返可降低功耗，并防止器件過(guò)熱和出現(xiàn)潛在損壞。