ZHCSF91B November 2015 – December 2024 LMR14030-Q1
PRODUCTION DATA
LMR14030-Q1 在睡眠模式下以輕負(fù)載電流運(yùn)行，從而通過(guò)減少開(kāi)關(guān)損耗和柵極驅(qū)動(dòng)損耗來(lái)提高效率。如果輸出電壓處于穩(wěn)壓范圍內(nèi)，并且任一開(kāi)關(guān)周期結(jié)束時(shí)的峰值開(kāi)關(guān)電流低于 300mA 的電流閾值，則器件進(jìn)入睡眠模式。睡眠模式電流閾值是與 400mV 標(biāo)稱內(nèi)部 COMP 電壓相對(duì)應(yīng)的峰值開(kāi)關(guān)電流電平。
處于睡眠模式時(shí)，內(nèi)部 COMP 電壓被鉗位在 400mV，高側(cè) MOSFET 被抑制，并且器件僅消耗 40μA 輸入靜態(tài)電流（典型值）。由于器件不進(jìn)行開(kāi)關(guān)，因此輸出電壓開(kāi)始衰減。電壓控制環(huán)路通過(guò)增大內(nèi)部 COMP 電壓來(lái)響應(yīng)輸出電壓的下降。當(dāng)誤差放大器將內(nèi)部 COMP 電壓提升至 400mV 以上時(shí)，高側(cè) MOSFET 會(huì)啟用，并且開(kāi)關(guān)將恢復(fù)。輸出電壓恢復(fù)到穩(wěn)壓值，內(nèi)部 COMP 電壓最終降至睡眠模式閾值以下，此時(shí)器件再次進(jìn)入睡眠模式。