- 下電上電（切換 PD 號）。
- 使用所需的配置寫入活動寄存器，并確認輸出時鐘是否按預期運行。
- 通過將 R171[6] (REGCOMMIT) 設置為 1，將活動寄存器提交到 SRAM。
- 注意：當傳輸完成時，REGCOMMIT 自動清除為 0。
- 通過將 R20[7] (ROM_PLUS_EE) 設置為 1，來啟用 EEPROM 覆蓋。
- 通過將 R180 (NVMUNLK) 設置為 234，解鎖 EEPROM。
- 在一個事務中：
- 通過將 R171[1] (NVMERASE) 設置為 1，擦除 EEPROM 的內容。
- 通過將 R171[0] (NVMPROG) 設置為 1，啟動 EEPROM 編程，以將 SRAM 內容傳輸到 EEPROM。
- 注意：步驟 5 和 6 必須是原子（背靠背）寫入，中間沒有任何其他寄存器事務。為確保成功進行 EEPROM 編程，還不允許串行通信中斷（如訪問同一總線上的其他器件）。
- 通過輪詢 R171[2] (NVMBUSY) 直到被清除或等候大約 500ms，等待 EEPROM 編程完成。
- 注意：請勿關斷、切換 PD 號或繼續進行下一步，直到 NVMBUSY 被清除以成功進行 EEPROM 編程為止。
- 通過將 NVMUNLK 設置為 0 以鎖定 EEPROM。
- 在下一次 POR 時，如果 EEPROM 編程成功，則 EEPROM 編程計數 R16 (NVMCNT) 會增加 1。此外，如果設置了 EEPROM 覆蓋位，則會從 EEPROM 加載活動寄存器。
十六進制指令表：
R171 0x00AB40 # Set REGCOMMIT
R20 0x001480 # Enable EEPROM OVERLAY
R180 0x00B4EA # UNLOCK EEPROM
R171 0x00AB03 # ERASE and PROGRAM SRAM contents to EEPROM
while(READ_REG(NVMBUSY) != 0) # NVMBUSY is located in 0xAB, bit 2
R180 0x00B400 # LOCK EEPROM