ZHCSSY5 December 2024 LMK3C0105
PRODUCTION DATA
圖 7-2 展示了器件狀態、配置引腳、器件初始化和器件運行模式之間的關系。如果 REF_CTRL 引腳在啟動時被拉至高電平,則進入 OTP 模式。如果 REF_CTRL 引腳在啟動時被拉至低電平,則進入 I2C 模式。在 OTP 模式下,OTP_SEL0/SCL 和 OTP_SEL1/SDA 引腳的狀態決定加載到有效寄存器中的 OTP 頁面。可對該器件進行一次性編程,這意味著無法更改存儲在內部 EFUSE 中的寄存器設置。通過更改 REF_CTRL 引腳的狀態,然后通過將 VDD 拉至低電平再拉至高電平來觸發器件下電上電,可以將器件從 OTP 模式轉換為 I2C 模式,反之亦然。在 OTP 模式下,OTP_SEL0 或 OTP_SEL1 引腳電平的更改(然后將 REF_CTRL 引腳拉至高電平)會動態地更改有效 OTP 頁面。第一次 OTP_SEL 引腳更改和將 REF_CTRL 拉至高電平之間的時間間隔必須小于 350μs,否則器件將進入 I2C 模式。
在 I2C 模式下,I2C_ADDR 引腳的狀態決定器件的 I2C 地址,OTP_SEL0/SCL 和 OTP_SEL1/SDA 引腳分別重新用作 I2C 時鐘和數據引腳。在 I2C 模式下,主機可以更新有效器件寄存器。如果使用與已編程配置不同的配置,則必須在每次下電上電后寫入寄存器。
通過將 PDN 位 (R10[1]) 設置為“1”,可以將器件置于低功耗狀態。清除 PDN 位會使器件退出低功耗狀態。如果 DEV_IDLE_STATE_SEL 位 (R10[4]) 為“0”且輸出被禁用,則器件進入低功耗狀態。需要進入低功耗狀態,才能更改通道 0 使用的 FOD 的頻率,更改 SSC 配置以及更改輸出格式。TI 建議在該低功耗狀態下執行寄存器寫入操作。將 OTP_AUTOLOAD_DIS (R10[2]) 位設置為“1”,以防止在將 PDN 設置為“0”之前自動加載 OTP 第 0 頁。
有兩個字段決定了器件退出低功耗狀態時的狀態。PIN_RESAMPLE_DIS (R10[3]) 控制在退出低功耗狀態時是否對 I2C_ADDR、OTP_SEL0/SCL、OTP_SEL1/SDA 和 REF_CTRL 引腳進行重新采樣。如果對引腳重新采樣,并且 REF_CTRL 引腳被拉至高電平,則該器件可以轉換到 OTP 模式。將該位設置為“1”可禁用此功能。OTP_AUTOLOAD_DIS 控制在退出低功耗狀態時是否將 OTP 第 0 頁的內容加載到器件寄存器中。如果 OTP_AUTOLOAD_DIS 位為“1”,且 PIN_RESAMPLE_DIS 位為“1”,則寄存器內容不會改變。如果 OTP_AUTOLOAD_DIS 位為“0”,而 PIN_RESAMPLE_DIS 位為“1”,則會將 OTP 第 0 頁的內容加載到寄存器中。如果 PIN_RESAMPLE_DIS 位為“0”,且 REF_CTRL 被拉至高電平,則器件進入 OTP 模式。在這種情況下,OTP_SEL0/SCL 和 OTP_SEL1/SDA 控制加載到器件寄存器中的 OTP 頁面。
在 I2C 模式下,器件寄存器來自 OTP 第 0 頁的內容。在 OTP 模式下,這些值來自四個 OTP 頁面之一,可根據啟動時 OTP_SELx 引腳的狀態進行選擇。圖 7-3 展示了 LMK3C0105 內的接口和控制塊,其中箭頭表示來自不同嵌入式存儲器的讀寫訪問。