ZHCST40B September 2023 – May 2025 LMG3626
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GaN 功率 FET | ||||||
| td(on)(Idrain) | 漏極電流導通延遲時間 | 從 VIN > VIN,IT+ 到 ID > 25mA，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1A，采用以下壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 77 | ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 34 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 28 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 23 | |||||
| td(on) | 導通延遲時間 | 從 VIN > VIN,IT+ 到 VDS < 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1A，采用以下壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | ||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 97 | ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 44 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 35 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 26 | |||||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 從 VIN < VIN,IT– 到 VDS > 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1A（與壓擺率設置無關(guān)），請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | 32 | ns | ||
| tf(off) | 關(guān)斷下降時間 | 從 VDS > 80V 到 VDS > 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1A（與壓擺率設置無關(guān)），請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | 24 | ns | ||
| 導通壓擺率 | 從 VDS < 250V 到 VDS < 150V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 電流 = 1A，采用以下壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關(guān)參數(shù) | |||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 20 | V/ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 50 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 75 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 150 | |||||
| CS | ||||||
| tr | 上升時間 | 從 ICS(src) > 0.2 × ICS(src)(final) 到 ICS(src) > 0.9 × ICS(src)(final)，0V ≤ VCS ≤ 2V，啟用至 1A 負載 | 35 | ns | ||
| EN | ||||||
| EN 喚醒時間 | 從 VEN > VIT+ 到 ID(ls) > 10mA，VINL = 5V | 1.5 | μs | |||