ZHCST40B September 2023 – May 2025 LMG3626
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
GaN 功率 FET 的導(dǎo)通壓擺率可通過(guò) RDRV 和 AGND 引腳之間的電阻設(shè)定為四個(gè)分立式設(shè)置之一。當(dāng) AUX 電壓上升到高于 AUX 上電復(fù)位電壓時(shí)，可在 AUX 上電期間確定一次壓擺率設(shè)置。壓擺率設(shè)置確定時(shí)間未指定，但大約為 0.4μs。
轉(zhuǎn)換率設(shè)置 展示了四個(gè)轉(zhuǎn)換率設(shè)置下的建議典型電阻編程值以及每個(gè)設(shè)置下的典型導(dǎo)通轉(zhuǎn)換率。如表中所示，開路連接對(duì)于設(shè)定壓擺率設(shè)置 0 是可接受的，短路連接（RDRV 短接至 AGND）對(duì)于設(shè)定壓擺率設(shè)置 3 是可接受的。
| 導(dǎo)通壓擺率設(shè)置 | 建議的典型設(shè)定電阻 (k?) | 典型導(dǎo)通壓擺率 (V/ns) | 注釋 |
|---|---|---|---|
| 0（最慢） | 120 | 20 | 可接受設(shè)定電阻的開路連接。 |
| 1 | 47 | 50 | |
| 2 | 22 | 75 | |
| 3（最快） | 5.6 | 150 | 可以接受設(shè)定電阻的短路連接（RDRV 短接到 AGND）。 |