ZHCST00A September 2023 – May 2024 LMG3522R050 , LMG3526R050
PRODUCTION DATA
必須確保 LMG352xR050 的控制信號不受快速開關(guān)導(dǎo)致的高 dv/dt 影響。控制信號與漏極之間的耦合會導(dǎo)致電路不穩(wěn)定與潛在損壞。將控制信號（輸入、故障以及 OC / ZVD）連接至相鄰層的接地平面上。例如，在“布局示例”中，所有信號都在靠近本地信號接地平面的層上布線。
高壓側(cè)器件與靜態(tài)平面（例如：PGND 與 HVBUS）之間的電容耦合可能會導(dǎo)致共模電流與接地反彈。可通過減少高壓側(cè)布線與靜態(tài)平面之間重疊的方式減輕耦合。對于高壓側(cè)電平轉(zhuǎn)換器，應(yīng)確保輸入或輸出側(cè)的銅線不會延伸至隔離器下方，否則會影響器件的 CMTI。