ZHCST00A September 2023 – May 2024 LMG3522R050 , LMG3526R050
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測量信息
- 7 詳細說明
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RQS|52
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RQS|52
訂購信息
6.2.1 重復性安全工作區(qū)
對于 LMG352xR050（圖 5-11）的容許重復性安全工作區(qū)，由導通期間的漏極峰值電流（IDS）與漏源電壓（VDS）決定。開關(guān)期間的峰值漏極電流是進入漏極端子的幾個電流之和：電感電流（Iind）；為圖騰柱中其他 GaN 器件的 COSS 充電所需要的電流；以及為開關(guān)節(jié)點上的寄生電容充電所需要的電流（Cpar）。190pF 用作開關(guān)期間器件的平均 COSS。對于開關(guān)節(jié)點上的寄生電容，可通過 PCB 的疊加電容估算。安全工作區(qū)測試采用升壓拓撲結(jié)構(gòu)。圖 6-4 所示電路用于生成 圖 5-11 中安全工作區(qū)曲線。為保證可靠運行，器件結(jié)溫也必須限制在 125℃。圖 5-11 的 IDS 的計算公式如下：
方程式 1. IDS = Iind + (190pF + Cpar) * Drain slew rate at peak current
其中，峰值電流時的漏極轉(zhuǎn)換率估計為總線電壓的 70% 至 30%，Cpar 為開關(guān)節(jié)點處的寄生電路板電容。
圖 6-4 安全工作區(qū)曲線所用電路如需了解更多詳細信息，可參閱《實現(xiàn) GaN 產(chǎn)品的壽命可靠性》。