ZHCST00A September 2023 – May 2024 LMG3522R050 , LMG3526R050
PRODUCTION DATA
GaN 器件具有極低的輸出電容,能夠在高 dv/dt 的情況下快速開關(guān),因此具有非常低的開關(guān)損耗。為了保持這種低開關(guān)損耗,必須最大限度減少向輸出節(jié)點(diǎn)添加的額外電容。可根據(jù)該等指南,最大限度減小開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的 PCB 電容: