ZHCST00A September 2023 – May 2024 LMG3522R050 , LMG3526R050
PRODUCTION DATA
6.2.1 重復性安全工作區
對于 LMG352xR050（圖 5-11）的容許重復性安全工作區，由導通期間的漏極峰值電流（IDS）與漏源電壓（VDS）決定。開關期間的峰值漏極電流是進入漏極端子的幾個電流之和：電感電流（Iind）；為圖騰柱中其他 GaN 器件的 COSS 充電所需要的電流；以及為開關節點上的寄生電容充電所需要的電流（Cpar）。190pF 用作開關期間器件的平均 COSS。對于開關節點上的寄生電容，可通過 PCB 的疊加電容估算。安全工作區測試采用升壓拓撲結構。圖 6-4 所示電路用于生成 圖 5-11 中安全工作區曲線。為保證可靠運行，器件結溫也必須限制在 125℃。圖 5-11 的 IDS 的計算公式如下：
方程式 1. IDS = Iind + (190pF + Cpar) * Drain slew rate at peak current
其中，峰值電流時的漏極轉換率估計為總線電壓的 70% 至 30%，Cpar 為開關節點處的寄生電路板電容。
圖 6-4 安全工作區曲線所用電路如需了解更多詳細信息，可參閱《實現 GaN 產品的壽命可靠性》。