ZHCST00A September 2023 – May 2024 LMG3522R050 , LMG3526R050
PRODUCTION DATA
LMG352xR050 利用串聯(lián) Si FET 來確保在未施加 VDD 偏置電源情況下，電源 IC 保持關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng) VDD 偏置電源關(guān)閉時(shí)，串聯(lián)的硅 FET 以級聯(lián)模式與 GaN 器件互連，如“功能方框圖”所示。對于 GaN 器件的柵極，保持在串聯(lián)的硅 FET 源極的一伏特范圍以內(nèi)。當(dāng)漏極施加高電壓并且硅 FET 阻斷漏極電壓時(shí)，GaN 器件的 VGS 會降低，直到 GaN 器件通過閾值電壓。隨后，GaN 器件關(guān)斷，并且阻斷漏極電壓的剩余主要部分。存在一個(gè)能夠確保硅 FET 的 VDS 不會超過最大額定值的內(nèi)部箝位。該特性能夠避免在沒有偏置電源情況下串聯(lián)硅 FET 發(fā)生雪崩現(xiàn)象。
當(dāng) LMG352xR050 利用 VDD 偏置電源上電時(shí)，內(nèi)部降壓/升壓轉(zhuǎn)換器能夠產(chǎn)生足以直接關(guān)斷 GaN 器件的負(fù)電壓（VVNEG）。這種情況下，串聯(lián)硅 FET 保持導(dǎo)通狀態(tài)，并且 GaN 器件直接被負(fù)電壓選通。
與傳統(tǒng)的級聯(lián)驅(qū)動(dòng) GaN 架構(gòu)（GaN 柵極接地，驅(qū)動(dòng)硅 MOSFET 柵極，以便控制 GaN 器件）相比，直接驅(qū)動(dòng)配置具有多種優(yōu)勢。首先，由于硅 MOSFET 確實(shí)需要在每個(gè)開關(guān)周期中切換，因此 GaN 柵源電荷（QGS）更低，并且沒有與硅 MOSFET 反向恢復(fù)相關(guān)的損耗。其次，由于 GaN 漏源電容（CDS）較高，級聯(lián)配置中關(guān)斷模式下 GaN 與硅 MOSFET 之間的電壓分布會導(dǎo)致 MOSFET 發(fā)生雪崩現(xiàn)象。最后，直接驅(qū)動(dòng)配置中的開關(guān)轉(zhuǎn)換率能夠控制，但級聯(lián)驅(qū)動(dòng)則無法控制。如需了解直接驅(qū)動(dòng) GaN 架構(gòu)的更多相關(guān)信息，可參閱 “適用于 GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置”。