ZHCSQH3B November 2022 – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3527R030
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GaN 功率晶體管 | ||||||
| RDS(on) | 漏源導(dǎo)通電阻 | VIN = 5V，TJ = 25°C | 26 | 35 | mΩ | |
| VIN = 5V，TJ = 125°C | 45 | |||||
| VSD | 第三象限模式源漏電壓 | IS = 0.1A | 3.6 | V | ||
| IS = 20A | 3 | 5 | ||||
| IDSS | 漏極漏電流 | VDS = 650V，TJ = 25°C | 1 | μA | ||
| VDS = 650V，TJ = 125°C | 10 | |||||
| COSS | 輸出電容 | VDS = 400V | 235 | pF | ||
| CO(er) | 與能量相關(guān)的有效輸出電容 | VDS = 0V 到 400V | 320 | pF | ||
| CO(tr) | 與時間相關(guān)的有效輸出電容 | 460 | pF | |||
| QOSS | 輸出電荷 | 190 | nC | |||
| QRR | 反向恢復(fù)電荷 | 0 | nC | |||
| VDD - 電源電流 | ||||||
| VDD 靜態(tài)電流 | VVDD = 12V, VIN = 0V 或 5V | 700 | 1200 | μA | ||
| VDD 工作電流 | VVDD = 12V，fIN = 140kHz，軟開關(guān) | 15.5 | 20 | mA | ||
| 降壓/升壓轉(zhuǎn)換器 | ||||||
| VNEG輸出電壓 | VNEG 灌電流 40mA | -14 | V | |||
| IBBSW,PK(low) | 低峰值電流模式設(shè)置下的 BBSW 峰拉電流 （外部降壓-升壓電感器電流峰值） |
0.3 | 0.4 | 0.5 | A | |
| IBBSW,PK(high) | 低峰值電流模式設(shè)置下的 BBSW 峰拉電流 （外部降壓-升壓電感器電流峰值） |
0.8 | 1 | 1.2 | A | |
| 高峰值電流模式設(shè)置啟用 –輸入正向閾值頻率 | 280 | 420 | 515 | kHz | ||
| LDO5V | ||||||
| 輸出電壓 | LDO5V 拉取 25mA | 4.75 | 5 | 5.25 | V | |
| 短路電流 | 25 | 50 | 100 | mA | ||
| IN | ||||||
| VIN,IT+ | 正向輸入閾值電壓 | 1.7 | 1.9 | 2.45 | V | |
| VIN,IT– | 負向輸入閾值電壓 | 0.7 | 1 | 1.3 | V | |
| 輸入閾值遲滯 | 0.7 | 0.9 | 1.3 | V | ||
| 輸入下拉電阻 | VIN = 2V | 100 | 150 | 200 | kΩ | |
| 故障、OC/ZVD、TEMP – 輸出驅(qū)動 | ||||||
| 低電平輸出電壓 | 輸出灌電流 8mA | 0.16 | 0.4 | V | ||
| 高電平輸出電壓 | 輸出拉電流 8mA （根據(jù) VLDO5V – VO 測量） |
0.2 | 0.45 | V | ||
| VDD, VNEG - 欠壓鎖定 | ||||||
| VVDD,T+(UVLO) | VDD UVLO – 正向閾值電壓 | 6.4 | 7 | 7.6 | V | |
| VDD UVLO – 負向閾值電壓 | 6 | 6.5 | 7.1 | V | ||
| VDD UVLO – 輸入閾值電壓遲滯 | 510 | mV | ||||
| VNEG UVLO – 負向閾值電壓 | -13.6 | -13.0 | -12.3 | V | ||
| VNEG UVLO – 正向閾值電壓 | -13.3 | -12.75 | -12.1 | V | ||
| 柵極驅(qū)動器 | ||||||
| 導(dǎo)通壓擺率 | 從 VDS ＜ 320V 到 VDS ＜ 80V，RDRV 與 LDO5V 斷開，RRDRV = 300k?，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 電流 = 10A，參閱 圖 6-1 | 20 | V/ns | |||
| 從 VDS ＜ 320V 到 VDS ＜ 80V，RDRV 與 LDO5V 連接，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 電流 = 10A，參閱 圖 6-1 | 90 | V/ns | ||||
| 從 VDS ＜ 320V 到 VDS ＜ 80V，RDRV 與 LDO5V 斷開，RRDRV = 0?，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 電流 = 10A，參閱 圖 6-1 | 150 | V/ns | ||||
| GaN FET 最大開關(guān)頻率 | VNEG 上升至＞–13.25V，軟開關(guān)，當 VVDD ＜ 9V 時的最大開關(guān)頻率降額 | 2 | MHz | |||
| 故障 | ||||||
| IT(OC) | 漏極過流故障 - 閾值電流 | 60 | 70 | 80 | A | |
| IT(SC) | 漏極短路故障 - 閾值電流 | 75 | 90 | 105 | A | |
| di/dtT(SC) | 過流與短路故障之間的 di/dt 閾值 | 150 | A/μs | |||
| GaN 溫度故障 – 正向閾值溫度 | 175 | °C | ||||
| GaN 溫度故障 – 閾值溫度遲滯 | 30 | °C | ||||
| 驅(qū)動器溫度故障 - 正向閾值溫度 | 185 | °C | ||||
| 驅(qū)動器溫度故障 – 閾值溫度遲滯 | 20 | °C | ||||
| TEMP | ||||||
| 輸出頻率 | 4.3 | 9 | 14 | kHz | ||
| 輸出 PWM 占空比 | GaN TJ = 150℃ | 82 | % | |||
| GaN TJ = 125℃ | 58.5 | 64.6 | 70 | |||
| GaN TJ = 85℃ | 36.2 | 40 | 43.7 | |||
| GaN TJ = 25℃ | 0.3 | 3 | 6 | |||
| 理想二極管模式控制 | ||||||
| VT(3rd) | 漏源第三象限檢測 – 閾值電壓 | -0.15 | 0 | 0.15 | V | |
| IT(ZC) | 漏極零電流檢測 – 閾值電流 | 0°C ≤ TJ ≤ 125°C | -0.2 | 0 | 0.2 | A |
| –40°C ≤ TJ ≤ 0°C | -0.35 | 0 | 0.35 | |||