ZHCSQH3B November 2022 – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3527R030
PRODUCTION DATA
要獲得不錯的性能,必須最大限度降低柵極驅(qū)動環(huán)路阻抗。盡管柵極驅(qū)動器集成在封裝上,但驅(qū)動器的旁路電容位于外部。當 GaN 器件關(guān)斷為負電壓時,連接外部 VNEG 電容器的路徑的阻抗包含在柵極驅(qū)動環(huán)路之中。VNEG 電容器必須放置在靠近 VNEG 引腳與 SOURCE 引腳的位置。在節(jié) 8.5.2中,旁路電容 C3 和 C13 位于頂層,并且通過過孔與“VNEG”引腳相連,通過本地信號接地層與“源極”引腳相連。
VDD 引腳旁路電容器 C1 和 C11 也必須放置在靠近 VDD 引腳的位置,并且采用低阻抗連接方式。