ZHCSNN4D October 2020 – May 2025 LMG3422R050 , LMG3426R050 , LMG3427R050
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測量信息
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 特性說明
- 7.4 啟動序列
- 7.5 器件功能模式
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RQZ|54
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.3 漏源電壓能力
由于硅 FET 在功率開關(guān)技術(shù)方面長期占據(jù)主導(dǎo)地位，因此許多設(shè)計(jì)人員并未意識到，不能將標(biāo)稱漏源電壓作為跨技術(shù)器件比較的等效點(diǎn)。硅 FET 的標(biāo)稱漏源電壓是根據(jù)雪崩擊穿電壓確定的。GaN FET 的標(biāo)稱漏源電壓是根據(jù)數(shù)據(jù)表規(guī)格的長期可靠性確定的。
如果超過硅 FET 的標(biāo)稱漏源電壓，可能立即導(dǎo)致?lián)p壞或造成永久性損壞。與此同時(shí)，GaN FET 的擊穿電壓遠(yuǎn)高于標(biāo)稱漏源電壓。例如，LMG342xR050 的擊穿電壓超過 800V。
輸入電壓浪涌期間，硅 FET 通常是電源應(yīng)用中的薄弱環(huán)節(jié)。浪涌保護(hù)電路必須經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，確保不會超過硅 FET 雪崩能力，因?yàn)閷⒗擞矿槲辉诠?FET 擊穿電壓以下并不可行。但是，將浪涌電壓箝位在 GaN FET 擊穿電壓以下卻十分容易。事實(shí)上，GaN FET 可以在浪涌期間繼續(xù)開關(guān)，這意味著輸出功率不會中斷。
利用 圖 7-1，能夠解釋 LMG342xR050 漏源能力。該圖顯示了在開關(guān)應(yīng)用中，GaN FET 在單個(gè)開關(guān)周期內(nèi)的漏源電壓隨時(shí)間的變化情況。不對開關(guān)頻率或占空比進(jìn)行任何聲明。不建議將該器件用作非開關(guān)應(yīng)用中的持續(xù)電壓應(yīng)力。
圖 7-1 漏源電壓開關(guān)周期FET 處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，波形在 t0 之前開始。在 t0 時(shí)，GaN FET 關(guān)斷，寄生元件導(dǎo)致漏源電壓以高頻振鈴。峰值振鈴電壓指定為 VDS(tr)。高頻振鈴已經(jīng)減弱了 t1。在 t1 和 t2 之間，F(xiàn)ET 漏源電壓由開關(guān)應(yīng)用的特性響應(yīng)設(shè)置。該特性顯示為一條平線，但也可能有其他響應(yīng)。t1 與 t2 之間的電壓指定為 VDS(off)。在 t2 時(shí)，GaN FET 在非零漏源電壓下導(dǎo)通。在 t2 時(shí)，漏源電壓指定為 VDS(switching)。圖中顯示了獨(dú)特的 VDS(tr)、VDS(off) 以及 VDS(switching) 參數(shù)，因?yàn)槊總€(gè)參數(shù)都能夠在 GaN FET 的整個(gè)壽命內(nèi)產(chǎn)生應(yīng)力。
LMG342xR050 漏源浪涌電壓能力可以通過“規(guī)格”中的絕對最大額定值 VDS(tr)(surge) 與 VDS(surge) 體現(xiàn)，其中，VDS(tr)(surge) 映射到 圖 7-1 中的 VDS(tr)，VDS(surge) 映射到 圖 7-1 中的 VDS(off) 與 VDS(switching)。如需了解有關(guān) TI GaN FET 浪涌能力的更多相關(guān)信息，可參閱《一種在使用條件下驗(yàn)證 GaN FET 在電源線路浪涌中可靠性的新方法》。