ZHCSNN4D October 2020 – May 2025 LMG3422R050 , LMG3426R050 , LMG3427R050
PRODUCTION DATA
在本數(shù)據(jù)表中，以下術語具有如下定義。就該等定義而言，假定源極引腳為 0V。
第一象限電流 = 從“漏極”引腳流向“源極”引腳的內部正向電流。
第三象限電流 = 從“源極”引腳流向“漏極”引腳的內部正向電流。
第一象限電壓 = 漏極引腳電壓 - 源極引腳電壓 = 漏極引腳電壓
第三象限電壓 = 源極引腳電壓 - 漏極引腳電壓= -漏極引腳電壓
FET 導通狀態(tài) = FET 通道處于額定 RDS(on) 狀態(tài)。第一象限電流與第三象限電流都可以在額定 RDS(on) 下流動。
LMG342xR050 導通狀態(tài)下，GaN FET 內部柵極電壓保持源極引腳電壓，以便實現(xiàn)額定 RDS(on)。GaN FET 溝道在 VGS = 0V 時處于額定 RDS(on)，因為 LMG342xR050 GaN FET 為耗盡模式 FET。
FET 關斷狀態(tài) = 第一象限電壓為正時，F(xiàn)ET 溝道完全關斷。第一象限電流無法流動。盡管在 FET 關斷狀態(tài)下第一象限電流不會流動，但如果“漏極”電壓足夠負（第三象限電壓為正），第三象限電流能夠流動。對于具有固有 p-n 結體二極管的器件，當“漏極”電壓下降到足以使 p-n 結正向偏置時，電流就會開始流動。
GaN FET 沒有固有的 p-n 結體二極管。相反，電流之所以會流動是因為 GaN FET 溝道重新導通。這種情況下，“漏極”引腳會成為電學源極，“源極”引腳回成為電學漏極。為了增強第三象限中的溝道，必須將“漏極”（電學源極）電壓調得足夠低，以便建立一個大于 GaN FET 閾值電壓的 VGS 電壓。GaN FET 溝道處于飽和狀態(tài)，僅導通足以支持第三象限電流作為其飽和電流。
LMG342xR050 關斷狀態(tài)下，GaN FET 內部柵極電壓保持 VNEG 引腳電壓，以便阻斷所有第一象限電流。VNEG 電壓低于 GaN FET 負閾值電壓，以便切斷溝道。
為了在關斷狀態(tài)下增強第三象限通道，必須將LMG342xR050“漏極”（電學源極）電壓調得足夠靠近 VNEG，以便建立一個大于 GaN FET 閾值電壓的 VGS 電壓。同樣，由于 LMG342xR050 GaN FET 是一種耗盡模式 FET，具有負向閾值電壓，這意味著 GaN FET 在“漏極”（電學源極）電壓介于 0V 與 VNEG 之間時處于導通狀態(tài)。第三象限電流為 15 A 時，典型的關斷狀態(tài)第三象限電壓為 5.3 V。因此，LMG342xR050 的關斷狀態(tài)第三象限損耗顯著高于具有固有 p-n 結體二極管的同類功率器件。