ZHCSNN4D October 2020 – May 2025 LMG3422R050 , LMG3426R050 , LMG3427R050
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 開(kāi)關(guān)時(shí)間 | ||||||
| td(on)(Idrain) | 漏極電流導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 從 VIN ＞ VIN,IT+ 到 ID ＞ 1A，VBUS = 400V，LHB 電流 = 10A，參閱圖 6-1 與 圖 6-2 | 28 | 42 | ns | |
| td(on) | 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 從 VIN ＞ VIN,IT+ 到 VDS ＜ 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 10A，參閱圖 6-1 與 圖 6-2 | 32 | 52 | ns | |
| tr(on) | 導(dǎo)通上升時(shí)間 | 從 VDS ＜ 320V 到 VDS ＜ 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 10A，參閱 圖 6-1 與 圖 6-2 | 2.5 | 4 | ns | |
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 從 VIN ＜ VIN,IT– 到 VDS ＞ 80V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 10A，參閱圖 6-1 與 圖 6-2 | 44 | 65 | ns | |
| tf(off) | 關(guān)斷下降時(shí)間(1) | 從 VDS ＞ 80V 到 VDS ＞ 320V，VBUS = 400V，LHB 電流 = 10A，參閱 圖 6-1 與 圖 6-2 | 21 | ns | ||
| FET 導(dǎo)通所需的最小輸入高電平脈沖寬度 | VIN 上升/下降時(shí)間 ＜ 1ns，VDS 下降至 ＜ 200V，VBUS = 400V， LHB 電流 = 10A，參閱圖 6-1 | 24 | ns | |||
| 啟動(dòng)時(shí)間 | ||||||
| t(start) | 驅(qū)動(dòng)器啟動(dòng)時(shí)間 | 從 VVDD ＞ VVDD,T+(UVLO) 到 “故障”高電平，CLDO5V = 100nF，CVNEG = 2.2μF（0V 偏壓時(shí)）線性下降到 1.5μF（15V 偏壓時(shí)） | 310 | 470 | us | |
| 故障時(shí)間 | ||||||
| toff(OC) | 過(guò)流故障 FET 關(guān)斷時(shí)間，過(guò)流前 FET 導(dǎo)通 | VIN = 5V，從 ID ＞ IT(OC) 到 ID ＜ 50A，ID di/dt = 100A/μs | 110 | 145 | ns | |
| toff(SC) | 短路電流故障 FET 關(guān)斷時(shí)間（FET 在短路前處于導(dǎo)通狀態(tài)） | VIN = 5V，從 ID > IT(SC) 到 ID < 50A，ID di/dt = 700A/μs | 65 | 100 | ns | |
| 過(guò)流故障 FET 關(guān)斷時(shí)間（FET 導(dǎo)通時(shí)進(jìn)入過(guò)流狀態(tài)） | 從 ID ＞ IT(OC) 到 ID ＜ 50A | 200 | 250 | ns | ||
| 短路故障 FET 關(guān)斷時(shí)間（FET 導(dǎo)通時(shí)進(jìn)入短路狀態(tài)） | 從 ID ＞ IT(SC) 到 ID ＜ 50A | 100 | 180 | ns | ||
| 清除“故障”鎖存的輸入復(fù)位時(shí)間 | 從 VIN ＜ VIN,IT– 到故障高電平 | 250 | 380 | 580 | us | |
| t(window)(OC) | 過(guò)流故障至短路故障的窗口時(shí)間 | 50 | ns | |||
| 理想二極管模式控制時(shí)間 | ||||||
| 過(guò)溫關(guān)斷理想二極管模式輸入下降消隱時(shí)間 | 150 | 230 | 360 | ns | ||
| 零電壓檢測(cè)與零電流檢測(cè)時(shí)間 | ||||||
| tWD_ZVD | ZVD/ZCD 脈沖寬度 | 請(qǐng)參閱 圖 6-3 | 75 | 100 | 140 | ns |
| tDL_ZVD | 輸入上升到 ZVD 脈沖上升沿之間的時(shí)間延遲 | 請(qǐng)參閱 圖 6-3 | 15 | 30 | ns | |
| t3rd_ZVD | ZVD 脈沖開(kāi)始出現(xiàn)時(shí)的第三象限導(dǎo)通時(shí)間 | Vbus = 10V，IL = 5A，Rdrv = 5V，測(cè)量 ZVD 脈沖開(kāi)始出現(xiàn)時(shí)的第三象限導(dǎo)通時(shí)間。請(qǐng)參閱 圖 6-3 | 42 | 56 | ns | |
| tZCD_Blank | FET 導(dǎo)通后的 ZCD 脈沖的有效消隱時(shí)間。 | RDRV 保持在 5V（100V/ns）。IL = 5A | 60 | 96 | 140 | ns |
| tzc_Det | 電流過(guò)零到 ZCD 脈沖的時(shí)間 | di/dt = 30A/μs | 20 | 57 | ns | |