ZHCSU38A January 2024 – May 2025 LM63635C-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRR|12
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRR|12
訂購信息
8.2.2.8 最高環(huán)境溫度
與任何功率轉(zhuǎn)換器件一樣，LM63635C-Q1 在運(yùn)行時(shí)會(huì)消耗內(nèi)部功率。這種功耗的影響是將轉(zhuǎn)換器的內(nèi)部溫度升高到環(huán)境溫度以上。內(nèi)核溫度 (TJ) 是環(huán)境溫度、功率損耗以及器件的有效熱阻 RθJA 和 PCB 組合的函數(shù)。LM63635C-Q1 的最高內(nèi)核溫度必須限制為 150°C。這會(huì)限制器件的最大功率耗散，從而限制負(fù)載電流。方程式 10 展示了重要參數(shù)之間的關(guān)系。很容易看出，較大的環(huán)境溫度 (TA) 和較大的 RθJA 值會(huì)降低最大可用輸出電流?？梢允褂帽緮?shù)據(jù)表中提供的曲線來估算轉(zhuǎn)換器效率。請注意，這些曲線包括電感器中的功率損耗。如果在其中某條曲線中找不到所需的運(yùn)行條件，則可以使用內(nèi)插來估算效率?；蛘?，可以調(diào)整 EVM 以匹配所需的應(yīng)用要求，并且可以直接測量效率。RθJA 的正確值更難估計(jì)。如半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo) 應(yīng)用手冊中所述，節(jié) 6.4表中給出的 RθJA 值對于設(shè)計(jì)用途無效，不得用于估算應(yīng)用的熱性能。該表中報(bào)告的值是在實(shí)際應(yīng)用中很少獲得的一組特定條件下測量的。為 RθJC(bott) 和 ΨJT 提供的數(shù)據(jù)在確定熱性能時(shí)很有用。有關(guān)更多信息和本節(jié)末尾提供的資源，請參閱半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo) 應(yīng)用報(bào)告。
其中
- η = 效率
有效 RθJA 是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，取決于許多因素，例如：
- 功率耗散
- 空氣溫度和流量
- PCB 面積
- 銅散熱器面積
- 封裝下的散熱過孔數(shù)量
- 相鄰元件放置
WSON12 封裝使用裸片附接焊盤（或“散熱焊盤”(DAP)）提供一個(gè)焊接到 PCB 散熱銅的位置。這種使用方式提供了從穩(wěn)壓器結(jié)到散熱器的良好導(dǎo)熱路徑，并且必須正確焊接到 PCB 散熱銅上。圖 8-3 中提供了 RθJA 與銅面積關(guān)系的典型示例。圖中給出的銅面積對應(yīng)于每層。頂層和底層為 2oz 覆銅，內(nèi)層為 1oz。圖 8-4 顯示了最大輸出電流與環(huán)境溫度關(guān)系的典型曲線。該數(shù)據(jù)是使用器件和 PCB 組合獲得的，RθJA 約為 22°C/W。請記住，這些圖表中給出的數(shù)據(jù)僅用于說明目的，任何給定應(yīng)用的實(shí)際性能取決于前面提到的所有因素。
圖 8-3 典型 RθJA 與適用于 WSON 封裝的銅面積
圖 8-4 最大輸出電流與環(huán)境溫度間的關(guān)系，VIN = 12V，VOUT = 5V，?SW = 400kHz，RθJA = 22°C/W以下資源可用作實(shí)現(xiàn)出色熱 PCB 設(shè)計(jì)和針對給定應(yīng)用環(huán)境估算 RθJA 的指南：