ZHCSLY1E February 2020 – October 2025 LM61480-Q1 , LM61495-Q1 , LM62460-Q1
PRODUCTION DATA
為了在效率方面優化 EMI,LM6x4xx-Q1 允許在導通期間通過電阻器選擇高側 FET 驅動器的強度。請參閱圖 7-10。通過 RBOOT 引腳消耗的電流(虛線環路)被放大并通過 CBOOT 消耗(虛線)。該電流用于導通高側電源 MOSEFT。
RBOOT 短接至 CBOOT 時,上升時間很短。在這種情況下,SW 節點諧波以每十倍頻程 –20dBμV 的速率滾降,直到達到 150MHz 左右,然后諧波開始以每十倍頻–40dBμV 的速率滾降。延長上升時間會降低發生此轉換時的頻率,在較高頻率下提供更多滾降,從而在 EMI 掃描方面提供更大的裕度。如果通過 700Ω 連接 CBOOT 和 RBOOT,則高側導通導致的壓擺時間限制為不超過 13ns。將 13.5V 轉換為 5V 時,典型值為 10ns。在大多數情況下,這種緩慢的上升時間使 SW 節點諧波中的能量能在 50MHz 附近滾降。滾降諧波可以消除許多應用中對屏蔽和共模扼流圈的需求。請注意,上升時間隨著輸入電壓的增加而延長。隨著 RBOOT 電阻升高,存儲電荷產生的噪聲也顯著降低。以較低壓擺率進行開關會降低效率。請注意優化該電阻,以在不產生過多熱量的情況下提供出色的 EMI。如果 RBOOT 保持開路,則上升時間設置為最大值。