任何直流/直流轉(zhuǎn)換器的 PCB 布局對(duì)于實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的出色性能而言都至關(guān)重要。PCB 布局不良可能會(huì)破壞原本良好的原理圖設(shè)計(jì)的運(yùn)行效果。即使轉(zhuǎn)換器正確調(diào)節(jié)，PCB 布局不良也意味著穩(wěn)健的設(shè)計(jì)無法大規(guī)模生產(chǎn)。此外，穩(wěn)壓器的 EMI 性能在很大程度上取決于 PCB 布局。在降壓轉(zhuǎn)換器中，對(duì) EMI 最關(guān)鍵的 PCB 功能是由輸入電容器和電源接地端形成的環(huán)路。圖 8-58 展示了這種情況。該環(huán)路承載大瞬態(tài)電流，在布線電感的作用下可能產(chǎn)生大瞬態(tài)電壓。過高的瞬態(tài)電壓會(huì)破壞轉(zhuǎn)換器的正常運(yùn)行。因此，該環(huán)路中的布線必須寬且短，同時(shí)使環(huán)路面積盡可能小，以降低寄生電感。圖 8-59 展示了 LM6x4xx-Q1 電路關(guān)鍵元件的建議布局。

• 將一個(gè)或多個(gè)輸入電容器盡可能靠近輸入引腳對(duì)放置：VIN1 連接到 PGND1，VIN2 連接到 PGND2。將小電容器放置在最靠近的位置。每對(duì)引腳都相鄰，簡化了輸入電容器的放置。采用 QFN 封裝時(shí)，封裝任一側(cè)都有兩個(gè) VIN/PGND 對(duì)。這提供了對(duì)稱布局，有助于最大限度地減少開關(guān)噪聲和 EMI 的產(chǎn)生。使用中間層上的寬 VIN 平面將兩個(gè) VIN 對(duì)一同連接到輸入電源。從電源到每個(gè) VIN 引腳對(duì)稱布線，以充分利用對(duì)稱引腳排列的優(yōu)勢(shì)。
• 將 VCC 的旁路電容器靠近 VCC 引腳和 AGND 引腳放置：必須使用短而寬的布線將該電容器連接到 VCC 和 AGND 引腳。
• 將 CBOOT 電容器放置在盡可能靠近器件的位置，并使用短而寬的布線連接到 CBOOT 和 SW 引腳：務(wù)必通過 VIN2 和 RBOOT 引腳之間的間隙在器件下方連接 SW，從而減少 SW 節(jié)點(diǎn)的暴露面積。如果使用了 RBOOT 電阻器，應(yīng)盡可能將其靠近 CBOOT 和 RBOOT 引腳放置。如果需要高效率，可將 RBOOT 和 CBOOT 引腳短接。此短接必須盡可能靠近 RBOOT 和 CBOOT 引腳。
• 將反饋分壓器盡可能靠近器件的 FB 引腳放置：將 R_FBB、R_FBT、C_FF（如果使用）和 R_FF（如果使用）在物理上靠近器件放置。通過 R_FBB 與 FB 和 AGND 的連接必須短且靠近器件上的這些引腳。到 V_OUT 的連接可能會(huì)更長一些。但是，不得將這一條較長的布線布置在任何可能電容耦合到穩(wěn)壓器反饋路徑的噪聲源（例如 SW 節(jié)點(diǎn)）附近。
• PCB 的第 2 層必須是接地層：該層充當(dāng)噪聲屏蔽層和散熱路徑。使用第 2 層可減小輸入環(huán)路中輸入循環(huán)電流的閉合面積，從而降低電感。
• 為 V_IN、V_OUT 和 GND 提供寬路徑：這些路徑必須盡可能寬和直，以減少轉(zhuǎn)換器輸入或輸出路徑上的任何壓降，從而最大限度地提高效率。
• 提供足夠大的 PCB 面積，以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)纳?/em>：考慮到最大負(fù)載電流和環(huán)境溫度，必須使用足夠大的銅面積來確保實(shí)現(xiàn)低 R_θJA。使用 2 盎司（不少于 1 盎司）的銅制作 PCB 頂層和底層。如果 PCB 設(shè)計(jì)使用多個(gè)銅層（建議），則散熱過孔也可以連接到內(nèi)層散熱接地平面。請(qǐng)注意，該器件的封裝通過所有引腳進(jìn)行散熱。除為避免噪聲而需要盡可能減小面積之外，所有引腳都可以使用寬布線。
• 保持較小的開關(guān)面積：保持 SW 引腳與電感器之間的銅區(qū)域盡可能短且寬。同時(shí)，必須更大程度地減小此節(jié)點(diǎn)的總面積，以幫助降低輻射 EMI。

圖 8-58 輸入電流環(huán)路