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ZHCSGX0A August 2017 – April 2025 LM60-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DBZ|3
- MPDS108G

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.5 電氣特性

除非另有說明，否則這些規(guī)格適用于 +V_S = 3V (DC) 和 I_LOAD = 1μA。除非另有說明，否則所有限值 T_A= T_J = 25°C。

參數(shù)		測試條件		最小值⁽¹⁾	典型值⁽²⁾	最大值⁽¹⁾	單位
傳感器精度
T_ACY	溫度精度⁽³⁾	LM60-Q1		-3		3	°C
T_ACY	溫度精度⁽³⁾	LM60-Q1	T_A = T_J = T_MIN 至 T_MAX	-4		4	°C
傳感器輸出
V_0℃	0°C 時的輸出失調(diào)電壓				424		mV
T_C	溫度系數(shù)（傳感器增益）				6.25		mV/°C
T_C	溫度系數(shù)（傳感器增益）		T_A = T_J = T_MIN 至 T_MAX	6		6.5	mV/°C
V_ONL	輸出非線性⁽⁴⁾		T_A = T_J = T_MIN 至 T_MAX	-0.8		0.8	°C
Z_OUT	輸出阻抗		T_A = T_J = T_MIN 至 T_MAX			800	?
T_LTD	長期穩(wěn)定性和漂移⁽⁵⁾	T_J = T_MAX = 125°C，持續(xù) 1000 小時			±0.2		°C
電源
I_DD	工作電流	LM60-Q1，2.7V ≤ +V_S ≤ 10V	舊芯片		82	110	μA
			新芯片		52	70
			T_A = T_J = T_MIN 至 T_MAX 舊芯片			125
			T_A = T_J = T_MIN 至 T_MAX新芯片			90
PSR	線性調(diào)整率⁽⁶⁾	LM60-Q1，2.7V ≤ +V_S ≤ 3.3V	T_A = T_J = T_MIN 至 T_MAX	-2.3		2.3	mV
PSR	線性調(diào)整率⁽⁶⁾	LM60-Q1，3V ≤ +V_S ≤ 10V	T_A = T_J = T_MIN 至 T_MAX	-0.3		0.3	mV/V
ΔI_DD	靜態(tài)電流變化量	LM60-Q1，2.7V ≤ +V_S ≤ 10V	舊芯片		±5		μA
ΔI_DD	靜態(tài)電流變化量	LM60-Q1，2.7V ≤ +V_S ≤ 10V	新芯片		±6.5		μA
I_{DD_TEMP}	靜態(tài)電流的溫度系數(shù)				0.2		μA/°C

(1) 限值特定于 TI 的 AOQL（平均出廠質(zhì)量水平）。

(2) T_J = T_A = 25°C 時為典型值，表示最可能的參數(shù)標準。

(3) 精度定義為在指定的電壓、電流和溫度條件下，輸出電壓與 6.25mV/°C 乘以器件外殼溫度加 424mV 之間的誤差（以 °C 表示）。

(4) 非線性被定義為輸出電壓和溫度的關系曲線在器件的額定溫度范圍內(nèi)與最佳擬合直線的偏差。

(5) 為了獲得最佳的長期穩(wěn)定性，任何精密電路在開始兩種溫度的長期壽命測試之前，如果器件在較高溫度下老化，并且溫度循環(huán)至少 46 小時，將能提供最佳效果。當小型（表面貼裝）器件進行波焊時尤其如此；留出時間讓應力放松。大多數(shù)漂移將在高溫下發(fā)生在前 1000 小時內(nèi)。1000 小時后的漂移不會以第一個 1000 小時的速率持續(xù)。

(6) 調(diào)整率是在恒定結(jié)溫下使用低占空比脈沖測試進行測量的。由熱效應引起的輸出變化可以通過內(nèi)部耗散乘以熱阻來計算。