ZHCSWL4 June 2024 LM5171
PRODUCTION DATA
所選的功率 MOSFET 必須具有能夠承受最大 HV 端口電壓和瞬態(tài)尖峰(振鈴)的 VDS 額定值。此應(yīng)用中選擇了額定值為 100V 的 MOSFET。
確定額定電壓后,通過在 MOSFET Rds(ON) 和總柵極電荷 (Qg) 之間進(jìn)行權(quán)衡來選擇 MOSFET,以平衡導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。對于大功率應(yīng)用,需要并聯(lián) MOSFET 以共享總功率并減少單個 MOSFET 上的耗散,從而緩解熱應(yīng)力。每個 MOSFET 中的導(dǎo)通損耗由方程式 93 確定。

其中

其中
開關(guān)瞬態(tài)上升和下降時間大致由下式確定:


每個并聯(lián) MOSFET 的開關(guān)損耗大致由下式確定:

其中
功率 MOSFET 通常需要使用 10kΩ 至 100kΩ 的柵源電阻器來減輕柵極驅(qū)動故障的影響。使用并聯(lián) MOSFET 時,最好為每個 MOSFET 使用 1Ω 至 2Ω 柵極電阻器,如圖 7-9 所示。
如果死區(qū)時間不是最優(yōu)值,則功率同步整流器 MOSFET 的體二極管會導(dǎo)致反向恢復(fù)損耗。假設(shè)功率 MOSFET 的反向恢復(fù)電荷為 Qrr,則反向恢復(fù)損耗由方程式 98 確定:

為降低反向恢復(fù)損耗,可以將一個可選的肖特基二極管與功率 MOSFET 并聯(lián)放置。這個二極管必須具有與 MOSFET 相同的額定電壓,并必須直接放在 MOSFET 的漏極和源極之間。重復(fù)正向額定電流的峰值必須大于 Ipeak,連續(xù)正向額定電流必須大于以下方程式 99 的值:
