ZHCSUT6L March 2000 – June 2025 LM2678
PRODUCTION DATA
升壓電容器產生用于過驅內部功率 MOSFET 柵極的電壓。這樣可最大限度降低開關的導通電阻和相關的功率損耗，從而提高效率。對于所有應用，建議使用 0.01μF、50V 陶瓷電容器。