ZHCSZ26 October 2025 LM251772-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
-
8 詳細說明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3
特性說明
- 8.3.1 降壓/升壓控制方案
- 8.3.2 節(jié)能模式
- 8.3.3 參考系統(tǒng)
- 8.3.4 電源電壓選擇 - VSMART 開關(guān)和選擇邏輯
- 8.3.5 使能和欠壓鎖定
- 8.3.6 內(nèi)部 VCC 穩(wěn)壓器
- 8.3.7 誤差放大器和控制
- 8.3.8 輸出電壓放電
- 8.3.9 峰值電流傳感器
- 8.3.10 短路 - 斷續(xù)保護
- 8.3.11 電流監(jiān)測器/限制器
- 8.3.12 振蕩器頻率選擇
- 8.3.13 頻率同步
- 8.3.14 輸出電壓跟蹤
- 8.3.15 斜率補償
- 8.3.16 可配置軟啟動
- 8.3.17 驅(qū)動引腳
- 8.3.18 雙隨機展頻 - DRSS
- 8.3.19 柵極驅(qū)動器
- 8.3.20 電纜壓降補償 (CDC)
- 8.3.21 CFG 引腳和 R2D 接口
- 8.3.22 高級監(jiān)控功能
- 8.3.23 保護特性
- 8.4 器件功能模式
- 8.5 編程
- 9 LM251772 寄存器
- 10應(yīng)用和實施
- 11器件和文檔支持
- 12修訂歷史記錄
- 13機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|40
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RHA|40
訂購信息
8.3.19 柵極驅(qū)動器
LM251772-Q1 具有四個內(nèi)部邏輯電平 nMOS 柵極驅(qū)動器。這些驅(qū)動器可以維持降壓/升壓運行所需的兩個半橋的高頻開關(guān)。如果器件處于升壓或降壓模式，則另一個半橋高側(cè)開關(guān)需要持久導(dǎo)通。內(nèi)部柵極驅(qū)動器通過共享來自另一個正在開關(guān)的半橋的電流來實現(xiàn)該功能。因此該器件可實現(xiàn)最小靜態(tài)電流，因為無需內(nèi)部電荷泵。由于具有高驅(qū)動電流能力，LM251772-Q1 支持各種外部功率 FET 并且可以并聯(lián)運行這些 FET。
LO 和 HO 輸出受擊穿保護，可防止兩個輸出同時導(dǎo)通。如果降壓/升壓轉(zhuǎn)換器的 PWM 調(diào)制邏輯將 LOx 引腳關(guān)閉，則在滿足以下條件之前不會開啟 HOx 引腳：
- 達到最短內(nèi)部轉(zhuǎn)換時間 (tt(dead))。
- LOx 引腳上的電壓降至檢測閾值 VTH(GATEOUT) 以下。
柵極驅(qū)動器的高側(cè)電源電壓由一個額外的自舉 UVLO 比較器進行監(jiān)測。該比較器會監(jiān)測 SWx 和 HBx 之間的差分電壓。如果電壓降至閾值以下，降壓/升壓轉(zhuǎn)換器將關(guān)閉。在通過軟啟動方案達到正向閾值后，該器件會自動重新啟動。
此外，LM251772-Q1 還會監(jiān)測 SWx 和 HBx 之間的上限電壓。如果該電壓超過鉗位電路的閾值電壓，LM251772-Q1 會激活內(nèi)部電流源來拉低電壓。
死區(qū)時間值可通過寄存器 MFR_SPECIFIC_D6 寄存器字段說明中的 SEL_SCALE_DT、SEL_MIN_DEADTIME_GDRV 選擇。
此外，可以讓高側(cè)和低側(cè)之間的轉(zhuǎn)換（死區(qū)）時間對頻率具有可選的依賴性。此功能可優(yōu)化器件在低開關(guān)頻率高功率應(yīng)用和高開關(guān)頻率低功率應(yīng)用中硅 MOSFET Qg 的常見差異性能。啟用該選項后，當(dāng)開關(guān)頻率設(shè)置為更高時，死區(qū)時間會更短?？墒褂眉拇嫫?MFR_SPECIFIC_D6 寄存器字段說明中的寄存器 EN_CONST_TDEAD 啟用或禁用頻率依賴性。
圖 8-28 柵極驅(qū)動器功能方框圖