10 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (April 2016)to RevisionC (July 2025)
- 在絕緣規格表中添加了 15mm（典型值）爬電距離/間隙Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (September 2015)to RevisionB (April 2016)
- 將
節 1
從低功耗、每通道電流典型值為 2.5mA（1Mbps 時）更改為低功耗、每通道電流典型值為 1.7mA（1Mbps 時）Go
- 將
節 1
部分中的隔離柵壽命從大于 25 年更改為大于 40 年Go
- 將
節 1
從安全和監管批準更改為安全相關認證Go
- 通篇更新了認證的狀態Go
- 添加了超寬體封裝（16 引腳 SOIC [DWW]）選項Go
- 更改了 熱性能信息 表中 DW 封裝的值Go
- 將 CIO 規格從 2pF 更改為?1 pFGo
- 向絕緣特性 表中添加了氣候類別參數Go
- 將
節 5.7
移動到了
節 5
部分Go
- 將
節 5.8
移動到了
節 5
部分Go
- 在 安全限制值 表中，更改了 DW 封裝的測試條件和值Go
- 在電氣特性表中，將輸入閾值電壓磁滯參數的最小值從 VCCO 更改為 VCCI
Go
- 向電氣特性表中的 CMTI 參數添加了 VCM 測試條件。還將最小值從 70 更新為 100 并刪除了最大值 100Go
- 將
節 5.15
中的 tfs 更改為 tDO
Go
- 將
節 5.16
中的 tfs 更改為 tDO
Go
- 將
節 5.17
中的 tfs 更改為 tDO
Go
- 在 絕緣特性曲線 部分中添加了 DW 和 DWW 封裝的壽命預測圖Go
- 更改了 安全限制值 部分中的熱降額曲線Go
- 將 2.7V 更改為1.7V、fs 高電平更改為默認高電平，將 圖 6-3 中的 fs 低電平更改為默認低電平Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (July 2015)to RevisionA (September 2015)