10 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (June 2016)to RevisionC (April 2025)
- 更新了整個文檔中的表格、圖和交叉參考的編號格式Go
- 在絕緣規格表中添加了 CPG/CLR 的 15mm(典型值)規格Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (September 2015)to RevisionB (June 2016)
- 將
節 1
從低功耗,1Mbps 時每通道的電流典型值為 1.8mA 更改為:低功耗,1Mbps 時的電流典型值為 1.8mAGo
- 將
節 1
從低傳播延遲:11ns(典型值)更改為:低傳播延遲:10.7ns(典型值)Go
- 將
節 1
從安全和監管批準更改為安全相關認證Go
- 添加了超寬體封裝(16 引腳 SOIC [DWW])選項Go
- 將 INA、OUTA、VCCI 和 VCCO 引腳名稱分別更改為 IN、OUT、VCC1 和 VCC2,更新了引腳排列圖、引腳功能表和其他圖以匹配Go
- 將結溫從
節 5.3
改為了
節 5.1
Go
- 更改了 DW 封裝的熱性能信息值,添加 DWW 封裝的值Go
- 更改了額定功率表中的值Go
- 將
節 5.6
移動到了
節 5
部分Go
- 將 CIO 規格從2pF 更改為:?0.75 pFGo
- 將
節 5.7
移動到了
節 5
部分Go
- 將
節 5.8
移動到了
節 5
部分Go
- 將 CMTI 最小值從 50 更改為 100,刪除了 5V 和 3.3V 電氣特性表中的最大值。另外在測試條件中添加了 VCM
Go
- 更改了所有電氣特性表中電源電流、交流參數(100Mbps 時)的最大值Go
- 將 CMTI 最小值從 70 更改為 100,刪除了 2.5V 電氣特性表中的最大值。另外在測試條件中添加了 VCM
Go
- 在所有開關特性表中添加了禁用和啟用傳播延時參數Go
- 將
節 5.15
中的 tfs 更改為 tDO
Go
- 將
節 5.16
中的 tfs 更改為 tDO
Go
- 將
節 5.17
中的 tfs 更改為 tDO
Go
- 添加了
節 5.18
部分Go
- 在
節 5.18
部分中添加了 DW 和 DWW 封裝的壽命預測曲線Go
- 在參數測量部分添加了默認輸出延遲時間測試電路和電壓波形Go
- 將
節 8.1
中的文本“雙通道數字隔離器”更改為:“單通道數字隔離器”Go
- 將
節 8.2
部分中的文本“直流/直流轉換器”更改為: “變壓器驅動器”Go
- 更改了圖 8-1
Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (July 2015)to RevisionA (September 2015)