ZHCSND2 April 2020 DRV8434E
PRODUCTION DATA
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓（VM、DVDD） | ||||||
| IVM | VM 工作電源電流 | nSLEEP = 1，無電機負載 | 5 | 6.5 | mA | |
| IVMQ | VM 睡眠模式電源電流 | nSLEEP = 0 | 2 | 4 | μA | |
| tSLEEP | 休眠時間 | nSLEEP = 0 至睡眠模式 |
120 |
μs | ||
| tRESET | nSLEEP 復位脈沖 | nSLEEP 低電平至清除故障 |
20 |
40 |
μs | |
| tWAKE | 喚醒時間 | nSLEEP = 1 至輸出轉換 | 0.8 | 1.2 | ms | |
| tON | 開通時間 | VM > UVLO 至輸出轉換 | 0.8 | 1.2 | ms | |
| VDVDD | 內部穩壓器電壓 | 無外部負載，6V < VVM < 48V | 4.75 | 5 | 5.25 | V |
| 無外部負載，VVM = 4.5V |
4.2 |
4.35 |
V |
|||
| 電荷泵（VCP、CPH、CPL） | ||||||
| VVCP | VCP 工作電壓 | 6V < VVM < 48V | VVM + 5 | V | ||
| f(VCP) | 電荷泵開關頻率 | VVM > UVLO；nSLEEP = 1 | 360 | kHz | ||
| 邏輯電平輸入（APH、AEN、BPH、BEN、AIN1、AIN2、BIN1、BIN2、nSLEEP） | ||||||
| VIL | 輸入邏輯低電平電壓 | 0 | 0.6 | V | ||
| VIH | 輸入邏輯高電平電壓 | 1.5 | 5.5 | V | ||
| VHYS | 輸入邏輯遲滯 | 150 | mV | |||
| IIL | 輸入邏輯低電平電流 | VIN = 0V | -1 | 1 | μA | |
| IIH | 輸入邏輯高電平電流 | VIN = 5V | 100 | μA | ||
| tPD | 傳播延遲 | 從 xPH、xEN、xINx 輸入到電流改變 | 800 | ns | ||
| 四電平輸入（ADECAY、BDECAY、TOFF） | ||||||
| VI1 | 輸入邏輯低電平電壓 | 連接至 GND | 0 | 0.6 | V | |
| VI2 | 330k? ± 5% 至 GND | 1 | 1.25 | 1.4 | V | |
| VI3 | 輸入高阻抗電壓 | 高阻抗（>500k? 至 GND） | 1.8 | 2 | 2.2 | V |
| VI4 | 輸入邏輯高電平電壓 | 連接至 DVDD | 2.7 | 5.5 | V | |
| IO | 輸出上拉電流 | 10 | μA | |||
| 控制輸出 (nFAULT) | ||||||
| VOL | 輸出邏輯低電平電壓 | IO = 5mA | 0.5 | V | ||
| IOH | 輸出邏輯高電平泄漏電流 | -1 | 1 | μA | ||
| 電機驅動器輸出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2） | ||||||
| RDS(ONH) | 高側 FET 導通電阻 | TJ = 25°C、IO = -1A | 165 | 200 | m? | |
| TJ = 125°C、IO = -1A | 250 | 300 | m? | |||
| TJ = 150°C、IO = -1A | 280 | 350 | m? | |||
| RDS(ONL) | 低側 FET 導通電阻 | TJ = 25°C、IO = 1A | 165 | 200 | m? | |
| TJ = 125°C、IO = 1A | 250 | 300 | m? | |||
| TJ = 150°C、IO = 1A | 280 | 350 | m? | |||
| tSR | 輸出壓擺率 | VM = 24V，IO = 1A，介于 10% 和 90% 之間 | 240 | V/μs | ||
| PWM 電流控制（VREFA、VREFB） | ||||||
| KV | 跨阻增益 | VREF = 3.3V | 1.254 | 1.32 | 1.386 | V/A |
| IVREF | VREF 泄漏電流 | VREF = 3.3V |
8.25 |
μA | ||
| tOFF | PWM 關斷時間 | TOFF = 0 | 7 | μs | ||
| TOFF = 1 | 16 | |||||
| TOFF = 高阻態 | 24 | |||||
| TOFF = 330kΩ 至 GND | 32 | |||||
| ΔITRIP | 電流跳變精度 | 0.25A < IO < 0.5A | –12 | 12 | % | |
| 0.5A < IO < 1A | -6 |
6 |
||||
| 1A < IO < 2.5A | -4 |
4 |
||||
| IO,CH | AOUT 和 BOUT 電流匹配 | IO = 2.5A | -2.5 | 2.5 | % | |
| 保護電路 | ||||||
| VUVLO | VM UVLO 鎖定 | VM 下降，UVLO 下降 | 4.1 | 4.25 | 4.35 | V |
| VM 上升，UVLO 上升 | 4.2 | 4.35 | 4.45 | |||
| VUVLO,HYS | 欠壓遲滯 | 上升至下降閾值 | 100 | mV | ||
| VCPUV | 電荷泵欠壓 | VCP 下降 | VVM + 2 | V | ||
| IOCP | 過流保護 | 流經任何 FET 的電流 | 4 | A | ||
| tOCP | 過流抗尖峰時間 | 2 | μs | |||
| TOTSD | 熱關斷 | 內核溫度 TJ | 150 | 165 | 180 | °C |
| THYS_OTSD | 熱關斷遲滯 | 內核溫度 TJ | 20 | °C | ||