ZHCSND2 April 2020 DRV8434E
PRODUCTION DATA
應(yīng)使用一個(gè)推薦電容為 0.01μF 且額定電壓為 VM 的低 ESR 陶瓷旁路電容器將 VM 引腳旁路至 PGND。該電容器應(yīng)盡可能靠近 VM 引腳放置，并通過較寬的引線或通過接地平面與器件 PGND 引腳連接。
必須使用額定電壓為 VM 的大容量電容器將 VM 引腳旁路至接地。該組件可以是電解電容。
必須在 CPL 和 CPH 引腳之間放置一個(gè)低 ESR 陶瓷電容。建議使用一個(gè)電容值為 0.022μF、額定電壓為 VM 的電容。將此組件盡可能靠近引腳放置。
必須在 VM 和 VCP 引腳之間放置一個(gè)低 ESR 陶瓷電容。建議使用一個(gè)電容值為 0.22μF、額定電壓為 16V 的電容。將此組件盡可能靠近引腳放置。
使用低 ESR 陶瓷電容器將 DVDD 引腳旁路至接地。建議使用一個(gè)電容為 0.47μF、額定電壓為 6.3V 的電容器。將此旁路電容器盡可能靠近引腳放置。
散熱焊盤必須連接到系統(tǒng)接地。