ZHCSOM2C September 2022 – June 2024 DRV8411
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
為獲得更佳性能,檢測電阻必須:
檢測電阻耗散的功率等于 IRMS2 × R。在此示例中,峰值電流為 900mA,RMS 電機(jī)電流為 600mA,檢測電阻值為 200mΩ。因此,檢測電阻(RSENSE12 和 RSENSE34)耗散 72mW (600mA2 × 200mΩ = 72mW)。隨著電流電平升高,功耗迅速增加。
電阻器通常在一定的環(huán)境溫度范圍內(nèi)具有額定的功率,而對于高溫環(huán)境,功率曲線會降額。當(dāng)印刷電路板 (PCB) 與其他發(fā)熱元件共用時(shí),應(yīng)增加裕度。對于優(yōu)秀實(shí)踐,應(yīng)測量最終系統(tǒng)中的實(shí)際檢測電阻溫度以及功率 MOSFET,因?yàn)檫@些元件通常是最熱的。
由于功率電阻器比標(biāo)準(zhǔn)電阻器更大且更昂貴,因此通常的做法是在檢測節(jié)點(diǎn)和接地之間并聯(lián)多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電阻器。這種做法可分散電流和散發(fā)熱量。