基于熱模擬的信息
表 6-1 瞬態(tài)熱阻抗 (RθJA) 和電流能力 - 半橋
| 器件型號 |
封裝 |
RθJA [°C/W](1) |
電流 [A](3) |
| 沒有脈寬調(diào)制(PWM)(3) |
有脈寬調(diào)制(PWM)(4) |
| 0.1s |
1s |
10s |
直流 |
0.1s |
1s |
10s |
直流 |
10s |
直流 |
| DRV8144-Q1 |
VQFN-HR |
4.6 |
9.5 |
13.9 |
30.5 |
25.2 |
17.5 |
14.5 |
9.8 |
11.4 |
6.8 |
(1) 基于熱模擬,采用 40mm x 40mm x 1.6mm
4 層 PCB – 頂部/底部層使用 2 盎司銅,內(nèi)部層使用 1 盎司銅,熱過孔鉆孔直徑為 0.3mm,鍍銅層為 0.025mm,最小過孔間距為 1mm。
(3) 在 85°C 環(huán)境溫度下,估計(jì)結(jié)溫升高至 150°C的瞬態(tài)電流能力
(3) 僅考慮導(dǎo)通損耗 (I2R)
(4) 通過如下公式粗略估計(jì)開關(guān)損耗:
方程式 1. PSW = VVM x ILoad x fPWM x VVM/SR,其中 VVM = 13.5V,fPWM = 20KHz,SR = 23V/μs