ZHCSMI0F September 2020 – April 2025 DP83TG720S-Q1
PRODUCTION DATA
7.3 電源相關建議
DP83TG720S-Q1 能在寬 IO 電源電壓范圍（3.3V、2.5V 或 1.8V）內運行。不需要電源時序控制。建議電源去耦網絡如下圖所示：
圖 7-2 建議電源去耦網絡（如果應用采用睡眠模式）
圖 7-3 建議電源去耦網絡（如果應用未采用睡眠模式）表 7-2 電源網絡的建議元件
| 設計參數 | 值 |
|---|---|
| VDDIO | 1.8V、2.5V 或 3.3V |
| 去耦電容器 VDDIO（引腳 34） | 10nF、100nF |
| 去耦電容器 VDDIO（引腳 22） | 10nF、100nF、2.2uF |
| 用于 VDDIO 的組合鐵氧體磁珠 | BLM18HE102SN1 |
| VDDA | 3.3V |
| 去耦電容器 VDDA（引腳 11） | 10nF、100nF、2.2uF |
| 用于 VDDA 的鐵氧體磁珠 | BLM18KG601SH1 |
| VDD1p0 | 1V |
| 去耦電容器 VDD1P0（引腳 9） | 10nF、100nF、2.2uF |
| 去耦電容器 VDDA（引腳 21） | 10nF、100nF、2.2uF |
| 用于 VDD1P0 的組合鐵氧體磁珠 | BLM18KG601SH1 |
| Vsleep | 3.3V |
注： 有關 VDD1p0 和 Vsleep 的 LDO 建議，請參閱 DP83TC811、DP83TG730 正式推出文檔 應用報告。