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ZHCSKM7I December 2019 – August 2025 DP83826E , DP83826I

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

RHB|32
- MPQF130D

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

RHB|32
- QFND257K

訂購信息

7.6 時序要求

⁽¹⁾

參數		最小值	標稱值	最大值	單位
上電時序
T1	電壓斜坡持續時間（0% 至 100% VDDIO）	0.5		50	ms
T2	電源時序控制 VDDA3V3，后跟 VDDIO 或 VDDIO，后跟 VDDA3V3 ⁽²⁾ ⁽⁴⁾	0		200	ms
T3	電壓斜坡持續時間（VDDA3V3 的 0% 至 100%）	0.5		50	ms
T4	POR 釋放時間/加電至 SMI 就緒：用于寄存器訪問的前導碼前上電穩定時間			50	ms
T5	加電至 FLP		1500		ms
	VDDA3V3 上的基座電壓，電源斜升前的 VDDIO			0.3	V
復位時序
T1	復位脈沖寬度：能夠復位的最小復位脈沖寬度（無消抖電容）	25			μs
T2	重置為 SMI 就緒：用于寄存器訪問的前導碼前復位后穩定時間			2	ms
T3	到 FLP 的復位		1500		ms
	重置為 100M 信令（搭接模式）		0.5		ms
	重置為 RMII 主時鐘		0.2		ms
快速鏈路脈沖時序
T1	時鐘脈沖到時鐘脈沖周期	111	125	139	μs
T2	時鐘脈沖到數據脈沖周期	55.5	62.5	69.5	μs
T3	時鐘/數據脈沖寬度		104		ns
T4	FLP 突發到 FLP 突發周期	8	16	24	ms
T5	FLP 突發寬度		2		ms
	突發寬度脈沖	17		33
鏈路接通時序
	使用搭接啟用快速鏈路丟失，150 米電纜			10	μs
	使用模式 1 的快速鏈路丟失時間（信號/能量損失指示）			10	μs
	使用模式 2 的快速鏈路丟失時間（低 SNR 閾值）⁽⁵⁾			10	μs
	使用模式 3 的快速鏈路丟失時間（MLT3 錯誤計數）⁽⁵⁾			10	μs
	使用模式 4 的快速鏈路丟失時間（RX 錯誤計數）			10	μs
	使用模式 5 的快速鏈路丟失時間（解碼器鏈路丟失）⁽⁵⁾			11	μs
100M EEE 時序
	睡眠時間		210		μs
	靜態時間		20		ms
	喚醒時間 (Tw_sys_tx)		36		μs
	刷新時間		200		μs
100M MII 接收時序
T1	RX_CLK 高電平/低電平時間	16	20	24	ns
T2	RX_D[3:0]、RX_ER、RX_DV 相對于 RX_CLK 上升的延遲時間	20		28	ns
100M MII 傳輸時序
T1	TX_CLK 高電平/低電平時間	16	20	24	ns
T2	TX_D[3:0]，TX_ER、TX_EN 設置為 TX_CLK	10			ns
T3	TX_D[3:0]、TX_ER、TX_EN 相對于 TX_CLK 的保持時間	0			ns
10M MII 接收時序
T1	RX_CLK 高電平/低電平時間⁽³⁾	160	200	240	ns
T2	RX_D[3:0]、RX_ER、RX_DV 相對于 RX_CLK 上升的延遲時間⁽³⁾	100		300	ns
10M MII 傳輸時序
T1	TX_CLK 高電平/低電平時間	190	200	210	ns
T2	TX_D[3:0]，TX_ER、TX_EN 設置為 TX_CLK	25			ns
T3	TX_D[3:0]、TX_ER、TX_EN 相對于 TX_CLK 的保持時間	0			ns
100M RMII 主時序
	RMII 主時鐘周期		20		ns
	RMII 主時鐘占空比	35		65	%
100M RMII 從模式時序
T2	TX_D[1:0]，TX_ER、TX_EN 設置為基準時鐘上升請參閱 RMII 發送時序。	4			ns
T3	TX_D[1:0]、TX_ER、TX_EN 相對于基準時鐘上升的保持時間。請參閱 RMII 發送時序。	2			ns
T4	RX_D[1:0]、RX_ER、CRS_DV 相對于基準時鐘上升的延遲時間。請參閱 RMII 接收時序。	4		14	ns
SMI 時序
T1	MDC 至 MDIO（輸出）延遲時間	0		13	ns
T2	MDIO（輸入）至 MDC 建立時間	10			ns
T3	MDIO（輸入）至 MDC 保持時間	10			ns
T4	MDC 頻率		2.5	24	MHz
輸出時鐘時序（50M RMII 主時鐘）
	頻率 (PPM)			50	ppm
	抖動（長期 500 個周期）			450	ps
	上升/下降時間			5	ns
	占空比	40		60	%
輸出時鐘時序（25M 時鐘輸出）
	頻率 (PPM)			50	ppm
	占空比	35		65	%
	上升時間			4000	ps
	下降時間			5000	ps
	抖動（長期：500 個周期）			300	ps
	抖動（短期）			250	ps
	頻率		25		MHz
25MHz 輸入時鐘容差
	頻率容差（與 ElectChar_Sections 中的“PLL 輸出頻率 PPM”相同）	-50		50	ppm
	上升/下降時間			5	ns
	抖動容差 (RMS)			50	ps
	1kHz 時的輸入相位噪聲			-98	dBc/Hz
	10kHz 時的輸入相位噪聲			-113	dBc/Hz
	100kHz 時的輸入相位噪聲			-113	dBc/Hz
	1MHz 時的輸入相位噪聲			-113	dBc/Hz
	10MHz 時的輸入相位噪聲			-113	dBc/Hz
	占空比	40		60	%
50MHz 輸入時鐘容差
	頻率容差	-50		50	ppm
	上升/下降時間			5	ns
	抖動容差 (RMS)			50	ps
	源自相位噪聲的抖動容差長期抖動（100,000 個周期）				ps
	1kHz 時的輸入相位噪聲			-87	dBc/Hz
	10kHz 時的輸入相位噪聲			-107	dBc/Hz
	100kHz 時的輸入相位噪聲			-107	dBc/Hz
	1MHz 時的輸入相位噪聲			-107	dBc/Hz
	10MHz 時的輸入相位噪聲			-107	dBc/Hz
	占空比	40		60	%
延遲時序
	MII 100M Tx（MII 到 MDI）：上升沿 TX_CLK 在 MDI 上置位 TX_EN 至 SSD 符號、啟用 FAST RX_DV、100 米電纜	38		40	ns
	MII 100 Rx（MDI 到 MII）：MDI 上的 SSD 符號到 RX_CLK 的上升沿、RX_DV 置位、啟用 FAST RX_DV、100 米電纜	166		170	ns
	MII 10M Tx（MII 到 MDI）：在 MDI 上設置 TX_EN 至 SSD 符號的上升沿 TX_CLK			540	ns
	RMII 從模式 100M Tx（RMII 到 MDI）：從模式 RMII 上升沿 XI 時鐘，在 MDI 上置位 TX_EN 至 SSD 符號，啟用 FAST RX_DV，100 米電纜	88		96	ns
	RMII 主模式 100M Tx（RMII 到 MDI）：RMII 主模式上升沿時鐘在 MDI 上置位 TX_EN 至 SSD 符號、啟用 FAST RX_DV、100 米電纜	88		96	ns
	RMII 從模式 10M Tx（RMII 到 MDI）：RMII 從模式上升沿 XI 時鐘在 MDI 上置位 TX_EN 至 SSD 符號			1360	ns
	RMII 主模式 10M Tx（RMII 到 MDI）：RMII 主模式上升沿時鐘在 MDI 上置位 TX_EN 至 SSD 符號			1360	ns
	MII 10M Rx（MDI 至 MII）：MDI 上的 SSD 符號到 RX_CLK 的上升沿、RX_DV 置位、啟用 FAST RX_DV、100 米電纜			1640	ns
	RMII 從模式 100M Rx（MDI 到 RMII）：MDI 上的 SSD 符號到 XI 時鐘的 RMII 從模式上升沿、CRS_DV 置位、啟用 FAST RX_DV、100 米電纜	268		288	ns
	RMII 主模式 100M Rx（MDI 到 RMII）：MDI 上的 SSD 符號到主時鐘的主 RMII 上升沿、CRS_DV 置位	252		270	ns
	RMII 從模式 10M（MDI 至 RMII）：MDI 上的 SSD 符號到 CRS_DV 置位的 XI 時鐘從模式 RMII 上升沿 (10M)	2110		2152	ns
	RMII 主模式 10M（MDI 至 RMII）：MDI 上的 SSD 符號到 CRS_DV 置位的時鐘主模式 RMII 上升沿 (10M)	2110		2152	ns
	MII：XI 至 TXCLK 相位差（跨復位、下電上電）	0	2	4	ns

(1) 根據設計、生產或特性測試驗證

(2) 時鐘應在電源的功率斜升開始時可用。如果時鐘被延遲，在 POR 完成后需要額外的 RESET_N。可在 100μs 的時鐘穩定和 POR 完成后啟動復位。

(3) 在接收數據的第一個半字節時，PHY 從本地時鐘源切換到恢復時鐘源，導致 RX_CLK 延長并影響 RX_CLK 到 RX_DV 延遲

(4) VDDIO 或 AVDD 電源都可以一起斜升，也可以將其中任何一個電源的斜升延遲至最大值）

(5) 啟用 Rx_Error 計數或信號/能量損耗指示以滿足最大限制要求