ZHCSVK2 March 2024 DAC39RF10-SEP , DAC39RF10-SP , DAC39RFS10-SEP , DAC39RFS10-SP
PRODMIX
在輻射環(huán)境中使用產(chǎn)品時(shí)，必須仔細(xì)考慮環(huán)境條件。表 8-2 提供了器件特性的輻射耐受性摘要。
| 特性 | 輻射耐受性 |
|---|---|
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可寫 SPI 寄存器 （不包括寫入清除寄存器） |
實(shí)現(xiàn)了抗翻轉(zhuǎn)式觸發(fā)器。輻射不會(huì)改變狀態(tài)。 |
| 返回常量值 的只讀 SPI 寄存器 | 輻射不會(huì)改變狀態(tài)（即 CHIP_TYPE、CHIP_ID、CHIP_VERSION、VENDOR_ID） |
| 與 JESD204C 物理層或鏈路層關(guān)聯(lián)的只讀 SPI 狀態(tài)寄存器（不包括寫入清除寄存器） | 返回值可能受輻射影響（SYSREF_POS、LINK_UP、JSYNC_STATE、PLL_LOCKED、LANE_ARR、FIFO_STATUS、JCAP_STATUS、JCAP、BER_CNT、LANE_EQS、ESDONE、ESVO_S、ECOUNT、RXDMUX、CDRPHASE、RXCSA_S）。 |
| FUSE_DONE 寄存器 | FUSE_DONE 可抗翻轉(zhuǎn)。 |
| OCSTS 寄存器 | PHY 初始化并完成偏移校準(zhǔn)后，OCSTS 返回抗翻轉(zhuǎn)的偏移值。但是，翻轉(zhuǎn)可能會(huì)導(dǎo)致 PHY PLL 失去鎖定，從而重新觸發(fā)偏移校準(zhǔn)過程，并生成新的偏移校準(zhǔn)值。 |
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粘滯 SPI 狀態(tài)寄存器 （寫入清除） |
當(dāng)某些事件發(fā)生在易出現(xiàn)翻轉(zhuǎn)的邏輯中時(shí)，這些位會(huì)被置位。翻轉(zhuǎn)可能會(huì)導(dǎo)致發(fā)生事件并設(shè)置粘滯位。翻轉(zhuǎn)也可能會(huì)阻止事件設(shè)置粘滯位，但這種情況不太可能發(fā)生，因?yàn)榘l(fā)生這種情況的時(shí)間窗口很短。設(shè)置粘滯位后，翻轉(zhuǎn)不 會(huì)清除它（SPI 讀取的觸發(fā)器具有翻轉(zhuǎn)抗能力）。 示例：LANE_ERR、PLL_LOCK_LOST、SYS_ALM、REALIGNED、CLK_REALIGNED。 |
| JESD204C 接收器 | JESD204C 接收器不可抗翻轉(zhuǎn)，但設(shè)計(jì)為不受功能中斷影響（可以從翻轉(zhuǎn)中自動(dòng)恢復(fù)）。請(qǐng)參閱“JESD204C 可靠性”。 |
| 內(nèi)插濾波器（DUC 和 DES2X 濾波器） | 內(nèi)插濾波器不能抗翻轉(zhuǎn)，在翻轉(zhuǎn)時(shí)會(huì)產(chǎn)生干擾。它們不會(huì)受到功能中斷的影響。 |
| DUC 中的 NCO | NCO 的輻射靈敏度待定。 |
| 溫度傳感器 | 溫度傳感器內(nèi)的 ADC 不具有抗翻轉(zhuǎn)能力。為了提高可靠性，建議讀取 TS_TEMP 三次或更多次，并計(jì)算中值。 |