ZHCSNR1 june   2023 AFE43902-Q1 , AFE53902-Q1

PRODUCTION DATA  

1.   1
2. 1 特性
3. 2 應(yīng)用
4. 3 說明
5. 4 修訂歷史記錄
6. 5 引腳配置和功能
7. 6 規(guī)格
   1. 6.1  絕對最大額定值
   2. 6.2  ESD 等級
   3. 6.3  建議運(yùn)行條件
   4. 6.4  熱性能信息
   5. 6.5  電氣特性：電壓輸出
   6. 6.6  電氣特性：ADC 輸入
   7. 6.7  電氣特性：通用
   8. 6.8  時(shí)序要求：I2C?標(biāo)準(zhǔn)模式
   9. 6.9  時(shí)序要求：I2C 快速模式
   10. 6.10 時(shí)序要求：I2C?超快速模式
   11. 6.11 時(shí)序要求：SPI 寫入操作
   12. 6.12 時(shí)序要求：SPI 讀取和菊花鏈操作 (FSDO = 0)
   13. 6.13 時(shí)序要求：SPI 讀取和菊花鏈操作 (FSDO = 1)
   14. 6.14 時(shí)序要求：PWM 輸出
   15. 6.15 時(shí)序圖
   16. 6.16 典型特性：電壓輸出
   17. 6.17 典型特性：ADC
   18. 6.18 典型特性：通用
8. 7 詳細(xì)說明
   1. 7.1 概述
   2. 7.2 功能方框圖
   3. 7.3 特性說明
      1. 7.3.1 智能模擬前端 (AFE) 架構(gòu)
      2. 7.3.2 編程接口
      3. 7.3.3 非易失性存儲器 (NVM)
         1. 7.3.3.1 NVM 循環(huán)冗余校驗(yàn) (CRC)
            1. 7.3.3.1.1 NVM-CRC-FAIL-USER 位
            2. 7.3.3.1.2 NVM-CRC-FAIL-INT 位
      4. 7.3.4 上電復(fù)位 (POR)
      5. 7.3.5 外部復(fù)位
      6. 7.3.6 寄存器映射鎖定
   4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) 模式
         1. 7.4.1.1 電壓基準(zhǔn)和 DAC 傳遞函數(shù)
            1. 7.4.1.1.1 電源作為基準(zhǔn)
            2. 7.4.1.1.2 內(nèi)部基準(zhǔn)
            3. 7.4.1.1.3 外部基準(zhǔn)
      2. 7.4.2 脈寬調(diào)制 (PWM) 模式
      3. 7.4.3 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 模式
      4. 7.4.4 多斜率熱折返模式
         1. 7.4.4.1 熱敏電阻線性化
   5. 7.5 編程
      1. 7.5.1 SPI 編程模式
      2. 7.5.2 I2C 編程模式
         1. 7.5.2.1 F/S 模式協(xié)議
         2. 7.5.2.2 I2C 更新序列
            1. 7.5.2.2.1 地址字節(jié)
            2. 7.5.2.2.2 命令字節(jié)
         3. 7.5.2.3 I2C 讀取序列
   6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1  NOP 寄存器（地址 = 00h）[復(fù)位 = 0000h]
      2. 7.6.2  DAC-x-VOUT-CMP-CONFIG 寄存器（地址 = 15h、03h）[復(fù)位 = 0400h]
      3. 7.6.3  COMMON-CONFIG 寄存器（地址 = 1Fh）[復(fù)位 = 03F9h]
      4. 7.6.4  COMMON-TRIGGER 寄存器（地址 = 20h）[復(fù)位 = 0000h]
      5. 7.6.5  COMMON-PWM-TRIG 寄存器（地址 = 21h）[復(fù)位 = 0001h]
      6. 7.6.6  GENERAL-STATUS 寄存器（地址 = 22h）[復(fù)位 = 2068h]
      7. 7.6.7  DEVICE-MODE-CONFIG 寄存器（地址 = 25h）[復(fù)位 = 8040h]
      8. 7.6.8  INTERFACE-CONFIG 寄存器（地址 = 26h）[復(fù)位 = 0000h]
      9. 7.6.9  STATE-MACHINE-CONFIG0 寄存器（地址 = 27h）[復(fù)位 = 0003h]
      10. 7.6.10 SRAM-CONFIG 寄存器（地址 = 2Bh）[復(fù)位 = 0000h]
      11. 7.6.11 SRAM-DATA 寄存器（地址 = 2Ch）[復(fù)位 = 0000h]
      12. 7.6.12 Xx-TEMPERATURE 寄存器（SRAM 地址 = 20h、22h、24h）[復(fù)位 = 0000h]
      13. 7.6.13 Yx-TEMPERATURE 寄存器（SRAM 地址 = 21h、23h、25h）[復(fù)位 = 0000h]
      14. 7.6.14 Xx-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 26h、28h、2Ah、2Ch）[復(fù)位 = 0000h]
      15. 7.6.15 Yx-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 27h、29h、2Bh、2Dh）[復(fù)位 = 0000h]
      16. 7.6.16 PWM-FREQUENCY 寄存器（SRAM 地址 = 2Eh）[復(fù)位 = 0000h]
9. 8 應(yīng)用和實(shí)施
   1. 8.1 應(yīng)用信息
   2. 8.2 典型應(yīng)用
      1. 8.2.1 使用 AFE53902-Q1 和電壓輸出的多斜率熱折返
         1. 8.2.1.1 設(shè)計(jì)要求
         2. 8.2.1.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)過程
         3. 8.2.1.3 應(yīng)用性能曲線圖
      2. 8.2.2 使用 AFE43902-Q1 和 PWM 輸出的多斜率熱折返
         1. 8.2.2.1 設(shè)計(jì)要求
         2. 8.2.2.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)過程
         3. 8.2.2.3 應(yīng)用性能曲線圖
   3. 8.3 電源相關(guān)建議
   4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
10. 9 器件和文檔支持
    1. 9.1 接收文檔更新通知
    2. 9.2 支持資源
    3. 9.3 商標(biāo)
    4. 9.4 靜電放電警告
    5. 9.5 術(shù)語表
11. 10機(jī)械、封裝和可訂購信息