產(chǎn)品詳情

Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.9 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) 1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.9 Breakdown voltage (V) 40 VDS (V) 40 VGS (V) -40 VGSTH typ (typ) (V) 1.2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6 WSON (DSG) 8 4 mm2 2 x 2
  • 超低噪聲:
    • 電壓噪聲:
      • 1 kHz 時(shí)為 0.9 nV/√ Hz,I DS = 5 mA
      • 1 kHz 時(shí)為 1.1 nV/√ Hz,I DS = 2mA
    • 電流噪聲:1 kHz 時(shí)為 1.6 fA/√ Hz
  • 低 V GS 失配:4mV(最大值)
  • 低柵極電流:10 pA(最大值)
  • 低輸入電容:V DS = 5V 時(shí)為 13 pF

  • 高柵漏電壓和柵源擊穿電壓:-40V

  • 高跨導(dǎo):30 mS

  • 封裝:SOIC,2mm x 2mm WSON

  • 超低噪聲:
    • 電壓噪聲:
      • 1 kHz 時(shí)為 0.9 nV/√ Hz,I DS = 5 mA
      • 1 kHz 時(shí)為 1.1 nV/√ Hz,I DS = 2mA
    • 電流噪聲:1 kHz 時(shí)為 1.6 fA/√ Hz
  • 低 V GS 失配:4mV(最大值)
  • 低柵極電流:10 pA(最大值)
  • 低輸入電容:V DS = 5V 時(shí)為 13 pF

  • 高柵漏電壓和柵源擊穿電壓:-40V

  • 高跨導(dǎo):30 mS

  • 封裝:SOIC,2mm x 2mm WSON

JFE2140 是使用德州儀器 (TI) 現(xiàn)代高性能模擬雙極工藝構(gòu)建的 Burr-Brown™ 音頻、匹配對(duì)分立式 JFET。JFE2140 具有以前較舊的分立式 JFET 技術(shù)所不具備的性能。JFE2140 在所有電流范圍內(nèi)均提供出色的噪聲性能,靜態(tài)電流可由用戶設(shè)置,范圍為 50 µA 至 20 mA。當(dāng)偏置電流為 5 mA 時(shí),該器件會(huì)產(chǎn)生 0.9 nV/√ Hz 的輸入?yún)⒖荚肼?,從而以極高的輸入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪聲性能。此外,按照 ±4mV 測(cè)試 JFET 之間的匹配,可為差分對(duì)配置提供低失調(diào)電壓和高 CMRR 性能。JFE2140 還具有連接到獨(dú)立鉗位節(jié)點(diǎn)的集成二極管,無(wú)需添加高泄漏、非線性外部二極管即可提供保護(hù)。

JFE2140 可承受 40V 的高漏源電壓,以及低至 –40V 的柵源電壓和柵漏電壓。該器件額定工作溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。

JFE2140 是使用德州儀器 (TI) 現(xiàn)代高性能模擬雙極工藝構(gòu)建的 Burr-Brown™ 音頻、匹配對(duì)分立式 JFET。JFE2140 具有以前較舊的分立式 JFET 技術(shù)所不具備的性能。JFE2140 在所有電流范圍內(nèi)均提供出色的噪聲性能,靜態(tài)電流可由用戶設(shè)置,范圍為 50 µA 至 20 mA。當(dāng)偏置電流為 5 mA 時(shí),該器件會(huì)產(chǎn)生 0.9 nV/√ Hz 的輸入?yún)⒖荚肼?,從而以極高的輸入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪聲性能。此外,按照 ±4mV 測(cè)試 JFET 之間的匹配,可為差分對(duì)配置提供低失調(diào)電壓和高 CMRR 性能。JFE2140 還具有連接到獨(dú)立鉗位節(jié)點(diǎn)的集成二極管,無(wú)需添加高泄漏、非線性外部二極管即可提供保護(hù)。

JFE2140 可承受 40V 的高漏源電壓,以及低至 –40V 的柵源電壓和柵漏電壓。該器件額定工作溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。

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* 數(shù)據(jù)表 JFE2140 超低噪聲、匹配低柵電流雙離散音頻 N 通道 JFET 數(shù)據(jù)表 (Rev. B) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 9月 14日
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用戶指南 JFE2140 Evaluation Module Users Guide PDF | HTML 2022年 9月 20日
證書 JFE2140EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022年 9月 7日

設(shè)計(jì)和開發(fā)

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評(píng)估板

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 適配器評(píng)估模塊

借助 DIP-Adapter-EVM 加快運(yùn)算放大器的原型設(shè)計(jì)和測(cè)試,該 EVM 有助于快速輕松地連接小型表面貼裝 IC 并且價(jià)格低廉。您可以使用隨附的 Samtec 端子板連接任何受支持的運(yùn)算放大器,或者將這些端子板直接連接至現(xiàn)有電路。

DIP-Adapter-EVM 套件支持六種常用的業(yè)界通用封裝,包括:

  • D 和 U (SOIC-8)
  • PW (TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3)
  • DCK(SC70-6 和 SC70-5)
  • DRL (SOT563-6)
用戶指南: PDF
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評(píng)估板

JFE2140EVM — 適用于 JFE2140 雙通道、超低噪聲、低柵極電流、音頻、N 溝道 JFET 的評(píng)估模塊

JFE2140 評(píng)估模塊 (EVM) 可以對(duì) JFE2140 的基本功能進(jìn)行評(píng)估。該 EVM 采用閉環(huán)前置放大器配置,由 ±5V 雙電源供電,提供 60dB 增益。用戶可以對(duì)各種電路配置進(jìn)行修改。

用戶指南: PDF | HTML
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仿真模型

JFEx140 TINA-TI Reference Design

SLPM356.TSC (137 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

JFEx140 PSpice Model

SLPM355.ZIP (53 KB) - PSpice Model
仿真模型

JFEx140 TINA-TI Spice Model

SLPM357.ZIP (2 KB) - TINA-TI Spice Model
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (DSG) 8 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息:
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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支持和培訓(xùn)

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