JFE150
- 超低噪聲:
- 電壓噪聲:
- 1kHz 時為 0.8nV/√ Hz,I DS = 5mA
- 1kHz 時為 0.9nV/√ Hz,I DS = 2mA
- 電流噪聲:1 kHz 時為 1.8fA/√ Hz
- 電壓噪聲:
- 低柵極電流:10 pA(最大值)
-
低輸入電容:V DS = 5V 時為 24pF
-
高柵漏電壓和柵源擊穿電壓:-40 V
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高跨導:68mS
-
封裝:小型 SC70 和 SOT-23
JFE150 是使用德州儀器 (TI) 的現(xiàn)代高性能模擬雙極工藝構(gòu)建的 Burr-Brown™ 分立式 JFET。JFE150 具有以前較舊的分立式 JFET 技術(shù)所不具備的性能。JFE150 提供出色的噪聲功率效率和靈活性,靜態(tài)電流可由用戶設(shè)置,并為 50µA 至 20mA 的電流提供出色的噪聲性能。當偏置電流為 5mA 時,該器件會產(chǎn)生 0.8nV/√ Hz 的輸入?yún)⒖荚肼?,從而以極高的輸入阻抗 (> 1TΩ) 提供超低噪聲性能。JFE150 還具有連接到獨立鉗位節(jié)點的集成二極管,無需添加高泄漏、非線性外部二極管即可提供保護。
JFE150 可承受 40V 的高漏源電壓,以及低至 –40V 的柵源電壓和柵漏電壓。該器件額定工作溫度范圍為 –40°C 至 + 125°C,并采用 5 引腳 SOT-23 和 SC70 封裝。
技術(shù)文檔
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查看全部 4 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | JFE150 超低噪音、低柵極電流、音頻、N 通道 JFET 數(shù)據(jù)表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2023年 5月 9日 |
| 用戶指南 | JFE150EVM 用戶指南 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2022年 5月 23日 | |
| 證書 | JFE150EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2022年 2月 28日 | ||||
| 應用手冊 | JFE150 Ultra-Low-Noise Pre-Amp | PDF | HTML | 2021年 10月 6日 |
設(shè)計和開發(fā)
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評估板
DIP-ADAPTER-EVM — DIP 適配器評估模塊
借助 DIP-Adapter-EVM 加快運算放大器的原型設(shè)計和測試,該 EVM 有助于快速輕松地連接小型表面貼裝 IC 并且價格低廉。您可以使用隨附的 Samtec 端子板連接任何受支持的運算放大器,或者將這些端子板直接連接至現(xiàn)有電路。
DIP-Adapter-EVM 套件支持六種常用的業(yè)界通用封裝,包括:
- D 和 U (SOIC-8)
- PW (TSSOP-8)
- DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
- DBV(SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3)
- DCK(SC70-6 和 SC70-5)
- DRL (SOT563-6)
用戶指南: PDF
仿真模型
JFE150 Ultra-Low Noise Piezoelectric Amplifier PSpice Reference Circuit
SLPM353.ZIP (140 KB) - PSpice Model
仿真模型
JFE150 Ultra-Low Noise Piezoelectric Amplifier TINA-TI Reference Circuit
SLPM352.ZIP (15 KB) - TINA-TI Reference Design
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBV) | 5 | Ultra Librarian |
| SOT-SC70 (DCK) | 5 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息:
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。