TMCS1123
- 高持續電流能力:80ARMS
- 可靠的增強型隔離
- 高精度
- 靈敏度誤差:±0.1%
- 靈敏度熱漂移:±20ppm/°C
- 靈敏度壽命漂移:±0.2%
- 失調電壓誤差:±0.2mV
- 偏移熱漂移:±2μV/°C
- 偏移壽命漂移:±0.2mV
- 非線性:±0.1%
- 對外部磁場具有高抗擾度
- 精密零電流基準輸出
- 快速響應
- 信號帶寬:250kHz
- 響應時間:1μs
- 傳播延遲:110ns
- 過流檢測響應:100ns
- 過流檢測 MASK (TMCS1123D71)
- 工作電源電壓范圍:3V 至 5.5V
- 雙向和單向電流檢測
- 多個靈敏度選項:
- 范圍為 25mV/A 至 150mV/A
- 安全相關認證(計劃)
- UL 1577 組件認證計劃
- IEC/CB 62368-1
TMCS1123 是一款電隔離霍爾效應電流傳感器,具有業界出色的隔離功能和精度。該器件還提供與輸入電流成正比的輸出電壓,且在所有靈敏度選項下均具有出色的線性度和低漂移。具有內置漂移補償功能的精密信號調節電路能夠在沒有系統級校準的情況下,在溫度和壽命范圍內實現小于 1.4% 的最大靈敏度誤差,或在一次性室溫校準的情況下,實現小于 0.9% 的最大靈敏度誤差(包括壽命和溫度漂移)。
交流或直流輸入電流流經內部導體,所產生的磁場可由集成式片上霍爾效應傳感器進行測量。無磁芯結構消除了對磁集中器的需求。差分霍爾傳感器可抑制外部雜散磁場產生的干擾。低導體電阻將可測量電流范圍提高至 ±96A,同時更大程度地降低功率損耗并降低散熱要求。絕緣能夠承受 5kVRMS,加上最小 8mm 的爬電距離和間隙,可提供高電平的可靠壽命增強型工作電壓。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬態抗擾度。
固定的靈敏度允許器件使用單個 3V 至 5.5V 的電源運行,因此消除了比例式誤差并提高了電源噪聲抑制能力。
技術文檔
設計和開發
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TMCS-A-ADAPTER-EVM — 適用于 DVG、DVF 或 DZP 封裝的 TMCS 隔離式霍爾效應電流傳感器適配器卡(不包括 IC)
TMCS-A-ADAPTER-EVM 評估模塊 (EVM) 旨在促進快速、方便地使用具有 DVG、DVF 或 DZP 封裝的 TMCS 隔離式霍爾效應精密電流檢測監控器。此 EVM 支持用戶通過霍爾輸入側推送高達 90A 的電流,同時通過隔離柵測量隔離式輸出。TMCS-A-ADAPTER-EVM 只有一個未組裝的 PCB,預留了用于組裝測試點的位置和用于器件評估的分線接頭引腳。PCB 焊盤采用重疊結構,因此任何 DVG、DVF 或 DZP TMCS 器件都能與 TMCS-A-ADAPTER-EVM 配合使用。
TMCS1123EVM — TMCS1123 隔離式霍爾效應電流檢測評估模塊
TMCS1123 and TMCS1123-Q1 TINA-TI Reference Design
TIDA-010954 — 基于 GaN 的 600W 單相周波轉換器參考設計
TIDA-01606 — 11kW 雙向三相三級(T 型)逆變器和 PFC 參考設計
TIDA-010938 — 適用于電池儲能系統、基于 GaN 的 10kW 單相串式逆變器參考設計
TIDA-010257 — 基于 Vienna 整流器的 10kW 三相功率因數校正參考設計
TIDA-010937 — 具有數字接口的隔離式低延遲高 PWM 抑制霍爾電流檢測參考設計
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DVG) | 10 | Ultra Librarian |
訂購和質量
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續可靠性監測
- 制造廠地點
- 封裝廠地點