TMCS1133-Q1

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具有 AFR 和警報功能的汽車級 1MHz 霍爾效應電流傳感器

產品詳情

Continuous current (max) (A) 82 Rating Automotive Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (μA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (kHz) 1000 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
Continuous current (max) (A) 82 Rating Automotive Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (μA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (kHz) 1000 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
SOIC (DVG) 10 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
    • 溫度等級 1:–40°C 至 125°C,TA
  • 功能安全型
    • 可幫助進行功能安全系統設計的文檔
  • 高持續電流能力:80ARMS
  • 可靠的增強型隔離
  • 高精度
    • 靈敏度誤差:±0.1%
    • 靈敏度熱漂移: ±20ppm/°C
    • 靈敏度壽命漂移:±0.2%
    • 失調電壓誤差: ±0.2mV
    • 偏移熱漂移:±10μV/°C
    • 偏移壽命漂移:±0.2mV
    • 非線性:±0.1%
  • 對外部磁場具有高抗擾度
  • 快速響應
    • 信號帶寬:1MHz
    • 響應時間:120ns
    • 傳播延遲:50ns
    • 過流檢測響應:100ns
  • 工作電源電壓范圍:3V 至 5.5V
  • 雙向和單向電流檢測
  • 多個靈敏度選項:
    • 范圍為 20mV/A 至 150mV/A
  • 安全相關認證
    • UL 1577 組件認證計劃
    • IEC/CB 62368-1
  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
    • 溫度等級 1:–40°C 至 125°C,TA
  • 功能安全型
    • 可幫助進行功能安全系統設計的文檔
  • 高持續電流能力:80ARMS
  • 可靠的增強型隔離
  • 高精度
    • 靈敏度誤差:±0.1%
    • 靈敏度熱漂移: ±20ppm/°C
    • 靈敏度壽命漂移:±0.2%
    • 失調電壓誤差: ±0.2mV
    • 偏移熱漂移:±10μV/°C
    • 偏移壽命漂移:±0.2mV
    • 非線性:±0.1%
  • 對外部磁場具有高抗擾度
  • 快速響應
    • 信號帶寬:1MHz
    • 響應時間:120ns
    • 傳播延遲:50ns
    • 過流檢測響應:100ns
  • 工作電源電壓范圍:3V 至 5.5V
  • 雙向和單向電流檢測
  • 多個靈敏度選項:
    • 范圍為 20mV/A 至 150mV/A
  • 安全相關認證
    • UL 1577 組件認證計劃
    • IEC/CB 62368-1

TMCS1133-Q1 是一款電隔離霍爾效應電流傳感器,具有業界出色的隔離功能和精度。該器件還提供與輸入電流成正比的輸出電壓,且在所有靈敏度選項下均具有出色的線性度和低漂移。具有內置漂移補償功能的精密信號調節電路能夠在沒有系統級校準的情況下,在溫度和壽命范圍內實現小于 1.4% 的最大靈敏度誤差,或在一次性室溫校準的情況下,實現小于 0.9% 的最大靈敏度誤差(包括壽命和溫度漂移)。

交流或直流輸入電流流經內部導體,所產生的磁場可由集成式片上霍爾效應傳感器進行測量。無磁芯結構消除了對磁集中器的需求。差分霍爾傳感器可抑制外部雜散磁場產生的干擾。低導體電阻將可測量電流范圍提高至 ±96A,同時更大程度地降低功率損耗并降低散熱要求。絕緣能夠承受 5kVRMS,加上最小 8mm 的爬電距離和間隙,可提供高電平的可靠壽命增強型工作電壓。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬態抗擾度。

固定的靈敏度允許器件使用單個 3V 至 5.5V 的電源運行,因此消除了比例式誤差并提高了電源噪聲抑制能力。

TMCS1133-Q1 是一款電隔離霍爾效應電流傳感器,具有業界出色的隔離功能和精度。該器件還提供與輸入電流成正比的輸出電壓,且在所有靈敏度選項下均具有出色的線性度和低漂移。具有內置漂移補償功能的精密信號調節電路能夠在沒有系統級校準的情況下,在溫度和壽命范圍內實現小于 1.4% 的最大靈敏度誤差,或在一次性室溫校準的情況下,實現小于 0.9% 的最大靈敏度誤差(包括壽命和溫度漂移)。

交流或直流輸入電流流經內部導體,所產生的磁場可由集成式片上霍爾效應傳感器進行測量。無磁芯結構消除了對磁集中器的需求。差分霍爾傳感器可抑制外部雜散磁場產生的干擾。低導體電阻將可測量電流范圍提高至 ±96A,同時更大程度地降低功率損耗并降低散熱要求。絕緣能夠承受 5kVRMS,加上最小 8mm 的爬電距離和間隙,可提供高電平的可靠壽命增強型工作電壓。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬態抗擾度。

固定的靈敏度允許器件使用單個 3V 至 5.5V 的電源運行,因此消除了比例式誤差并提高了電源噪聲抑制能力。

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技術文檔

設計和開發

如需其他信息或資源,請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看(如有)。

評估板

TMCS-A-ADAPTER-EVM — 適用于 DVG、DVF 或 DZP 封裝的 TMCS 隔離式霍爾效應電流傳感器適配器卡(不包括 IC)

TMCS-A-ADAPTER-EVM 評估模塊 (EVM) 旨在促進快速、方便地使用具有 DVG、DVF 或 DZP 封裝的 TMCS 隔離式霍爾效應精密電流檢測監控器。此 EVM 支持用戶通過霍爾輸入側推送高達 90A 的電流,同時通過隔離柵測量隔離式輸出。TMCS-A-ADAPTER-EVM 只有一個未組裝的 PCB,預留了用于組裝測試點的位置和用于器件評估的分線接頭引腳。PCB 焊盤采用重疊結構,因此任何 DVG、DVF 或 DZP TMCS 器件都能與 TMCS-A-ADAPTER-EVM 配合使用。

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TI.com 上無現貨
評估板

TMCS1133EVM — TMCS1133 評估模塊

TMCS1133EVM 評估模塊 (EVM) 工具旨在實現 TMCS1133 的快速便捷應用,TMCS1133 是一款采用內部基準的隔離式霍爾效應精密電流檢測監測器。此 EVM 支持用戶在霍爾輸入側提供最大工作電流,同時通過增強型隔離柵測量隔離式輸出。此固定裝置布局并非作為目標電路的模型使用,也不針對電磁 (EMI) 測試進行布局。該 EVM 由單個印刷電路板 (PCB) 構成,可拆分為五個單獨部分,支持用戶測試單個靜態點的所有靈敏度變化(A = 2.5V、B = 1.65V 或 C = 0.33V)。

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仿真模型

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (TMCS1133x1A)

SBOMCQ9.ZIP (8 KB) - PSpice Model
仿真模型

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 TINA-TI Reference Design

SBOMCR7.ZIP (127 KB) - TINA-TI Reference Design
計算工具

CS-MAGNETIC-ERROR-TOOL-CALC Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool

Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
霍爾效應電流傳感器
TMCS1100 具有外部基準的 ±600V 基本隔離、20Arms、80kHz 霍爾效應電流傳感器 TMCS1101-Q1 符合 AEC-Q100 標準且具有內部基準的 ±600V 隔離式精密電流傳感器 TMCS1100-Q1 符合 AEC-Q100 標準且具有外部基準的 ±600V 隔離式精密電流傳感器 TMCS1101 具有基準的 ±600V 基本隔離、20Arms、80kHz 霍爾效應電流傳感器 TMCS1107 具有基準的 ±420V 基本隔離、20Arms、80kHz 霍爾效應電流傳感器 TMCS1107-Q1 具有內部基準、符合 AEC-Q100 標準的 ±420V 隔離式霍爾效應電流傳感器 TMCS1108 具有基準的 ±100V 基本隔離、20Arms、80kHz 霍爾效應電流傳感器 TMCS1108-Q1 符合 AEC-Q100 標準且具有內部基準的 ±100V 隔離式霍爾效應電流傳感器 TMCS1123 具有 AFR、基準和警報功能的 ±1300V 增強型隔離、80ARMS 250kHz 霍爾效應電流傳感器 TMCS1123-Q1 具有 AFR 和警報功能的 AEC-Q100 標準 80ARMS 霍爾效應電流傳感器 TMCS1126 具有 AFR、基準和警報功能的 80ARMS 500kHz 霍爾效應電流傳感器 TMCS1126-Q1 具有 AFR、基準和警報功能且符合 AEC-Q100 標準的 80ARMS、500kHz 霍爾效應電流傳感器 TMCS1127 具有 AFR 功能的 80ARMS、250kHz 霍爾效應電流傳感器 TMCS1127-Q1 符合 AEC-Q100 標準、具有 AFR 功能的 80ARMS、250kHz 霍爾效應電流傳感器 TMCS1133 具有 AFR 和警報功能的 80ARMS、1MHz 霍爾效應電流傳感器 TMCS1133-Q1 具有 AFR 和警報功能的汽車級 1MHz 霍爾效應電流傳感器 TMCS1143 125ARMS 250kHz Hall-effect current sensor with AFR, reference, OCP and ALERT TMCS1148 具有 OCP、基準和 AFR 功能的 125ARMS 500kHz 霍爾效應電流傳感器
參考設計

PMP41078 — 采用 GaN HEMT 的高壓轉低壓直流/直流轉換器參考設計

此參考設計介紹了一款采用 650V 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)的 3.5kW 高壓轉低壓直流/直流轉換器。采用 LMG3522R030 作為初級開關可使該轉換器在高開關頻率下工作。在此設計中,轉換器使用了尺寸更小的變壓器。為了輕松滿足有源鉗位金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的熱性能要求,轉換器使用了雙通道有源鉗位電路。
測試報告: PDF
參考設計

PMP41139 — 3.5kW,800V 至 14V DC/DC 轉換器參考設計

此參考設計介紹了一款采用 650V 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的 3.5kW 800V 至 14V 直流/直流轉換器。該轉換器使用堆疊半橋 (SHB) 拓撲,能夠使用 650V GaN HEMT 在 800V 下工作。采用 LMG3522R030 作為初級開關可使該轉換器在高開關頻率下工作。在此設計中,轉換器使用了尺寸較小的變壓器。為了輕松滿足有源鉗位金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的熱性能要求,轉換器使用了雙通道有源鉗位電路。
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DVG) 10 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

支持和培訓

視頻