主頁(yè) 電源管理 MOSFET

CSD75208W1015

正在供貨

采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的雙通道共源極、108mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

產(chǎn)品詳情

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 108 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 150 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.9 QGD (typ) (nC) 0.23 QGS (typ) (nC) 0.48 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 108 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 150 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.9 QGD (typ) (nC) 0.23 QGS (typ) (nC) 0.48 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm2 1.75 x 1.25
  • 雙路 P 通道 MOSFET
  • 共源配置
  • 1.5mm x 1mm 小尺寸封裝
  • 柵極 - 源電壓鉗位
  • 柵極靜電放電 (ESD) 保護(hù) - 3kV
  • 無(wú)鉛
  • 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 無(wú)鹵素
  • 雙路 P 通道 MOSFET
  • 共源配置
  • 1.5mm x 1mm 小尺寸封裝
  • 柵極 - 源電壓鉗位
  • 柵極靜電放電 (ESD) 保護(hù) - 3kV
  • 無(wú)鉛
  • 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 無(wú)鹵素

此器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。低導(dǎo)通電阻與小型低厚度封裝結(jié)合在一起，使得此器件成為電池供電運(yùn)行空間受限應(yīng)用的 理想選擇。

此器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。低導(dǎo)通電阻與小型低厚度封裝結(jié)合在一起，使得此器件成為電池供電運(yùn)行空間受限應(yīng)用的 理想選擇。
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技術(shù)文檔

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類型 標(biāo)題 下載最新的英語(yǔ)版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 CSD75208W1015 雙路 20V 共源 P 通道 NexFET功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.A) PDF | HTML 2017年 8月 31日
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應(yīng)用手冊(cè) 在設(shè)計(jì)中使用 MOSFET 安全工作區(qū)曲線 PDF | HTML 英語(yǔ)版 PDF | HTML 2023年 3月 15日
應(yīng)用手冊(cè) MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2022年 8月 29日
更多文獻(xiàn)資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
應(yīng)用手冊(cè) AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日

設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)

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仿真模型

CSD75208W1015 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM131A.ZIP (2 KB) - PSpice Model
下載
參考設(shè)計(jì)

TIDA-00488 — 用于低于 1GHz 的網(wǎng)絡(luò)的能量采集環(huán)境光和環(huán)境傳感器節(jié)點(diǎn)參考設(shè)計(jì)

TIDA-00488 演示了一種功耗超低的可再生無(wú)線環(huán)境感應(yīng)方法，這種方法利用了日光能量收集技術(shù)，具有較長(zhǎng)的備用電池壽命。該參考設(shè)計(jì)使用我們的超低功耗收集裝置電源管理 IC、SimpleLink? 低于 1GHz 超低功耗無(wú)線微控制器 (MCU) 平臺(tái)以及環(huán)境光、濕度和溫度感應(yīng)技術(shù)，可在能量收集電路工作時(shí)進(jìn)行連續(xù)監(jiān)控，在依賴備用電池供電運(yùn)行時(shí)中斷監(jiān)控。
設(shè)計(jì)指南: PDF
原理圖: PDF
參考設(shè)計(jì)

TIDA-00712 — 智能手表電池管理解決方案參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)可作為智能手表電池管理解決方案 (BMS)，適用于智能手表應(yīng)用等低功耗可穿戴設(shè)備。該設(shè)計(jì)包括一個(gè)超低電流 1 節(jié)鋰離子電池線性充電器、高度集成且符合 Qi 標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線功率接收器、具有成本效益的電壓和電流保護(hù)集成電路、帶有集成檢測(cè)電阻電池電量計(jì)的系統(tǒng)端以及用于 LCD 顯示設(shè)備且輸出高達(dá) 28V 的升壓器。

該設(shè)計(jì)在小尺寸 (20mm x 29mm) PCB 中實(shí)現(xiàn)；其輸入電源可以來(lái)自 micro-USB 連接器或符合 Qi 標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線功率發(fā)射器，但只要檢測(cè)到來(lái)自 micro-USB 連接器的 5V 電源，無(wú)線功率發(fā)射器就會(huì)關(guān)閉。

設(shè)計(jì)指南: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。

支持和培訓(xùn)

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