傳導發射和輻射發射的注意事項

傳導和輻射發射取決于開關頻率、dv/dt、di/dt、開關電壓振蕩和反射以及開關電流環路面積。

DRV7308 整合了多種設計技術和印刷電路板 (PCB) 布局選項，以解決 EMI 和電磁兼容性問題：

• PWM 開關頻率。開關頻率越高，對 EMI 頻譜的影響越大。較高的開關頻率有助于降低電流紋波和電容器要求，從而滿足傳導發射要求。DRV7308 提供寬范圍開關頻率，從極低值到高達 60kHz。設計人員可以根據系統性能和 EMI 要求選擇合適的頻率。
• dv/dt。DRV7308 前置驅動器能夠控制相位節點開關壓擺率，以滿足 EMI 要求。
• di/dt。由于 GaN 具有零反向恢復和低寄生效應，可以提供更好的開關性能，而不會在開關期間在相位節點上產生電壓過沖和振蕩。圖 4 和圖 5 顯示了 DRV7308 的干凈開關，這意味著 EMI 更低。
• 較小的開關電流環路面積。本地去耦電容器將在開關期間提供脈沖電流。DRV7308 的設計使得到直流電壓去耦電容器 (C_VM) 的開關電流環路面積非常小，如圖 8 中所示。