使用 GaN 電源開關提高電機性能

專為高速電機或電感較低的電機而設計的永磁同步電機通常需要高 PWM 頻率，以減少電流紋波并實現出色的電機性能。終端設備示例包括吹風機、鼓風機和泵。

電機繞組中較高的電流紋波會導致不必要的扭矩紋波，增加銅和磁芯損耗，并導致開關期間檢測到的平均電機電流不準確。

基于 MOSFET 或 IGBT 的 IPM 的額定使用頻率通常為 20kHz；但是，由于開關損耗較高，它們通常用于較低的開關頻率（6kHz 至 16kHz）。由于 GaN 即使在較低的 dv/dt 下也能提供低得多的開關損耗，因此能夠以高得多的頻率進行開關以提高電機效率和性能。

圖 3 展示了 DRV7308 的功能方框圖，此器件集成了針對所有 GaN FET 且具有相位節點電壓壓擺率控制功能的前置驅動器。DRV7308 有助于在 Quad Flat No-lead (QFN) 12mm x 12mm 封裝內的三相調制、場定向控制驅動的 250W 電機驅動應用中實現超過 99% 的逆變器效率，無需散熱器。