ZHCUD36 June 2025 UCC218200-Q1
3.4.6.1 短路檢測 - DESAT
應用手冊中詳細介紹 DESAT、OC 保護方法和設計指南。有關元件設計選擇和公式詳細信息，請參閱該應用手冊，為 IGBT 和 SiC 電源模塊選擇適當的保護方法。
方程式 1.
Vds 電壓檢測閾值可通過公式計算得出，
采用 9V 內部 DESAT 檢測閾值，兩個 STTH122A 二極管（每個二極管的正向電壓為 0.6V）、475? 限流電阻、具有 2.7V 齊納電壓的齊納二極管以及 500μA 內部充電電流，Vds DESAT 檢測閾值的計算結果為 4.86V。如果需要其他 Vds 電壓檢測閾值，使用不同的 Rlim、二極管來產生所需的檢測電壓。
安裝 R25 和 R29 可以增加 DESAT 充電電流。增大 DESAT 充電電流可以縮短電容器的消隱時間，并為 SiC MOSFET 提供更好的保護。
圖 3-6 DESAT 電路