ZHCUD36 June 2025 UCC218200-Q1
基于寬帶隙 SiC FET 的電源模塊憑借出色的導(dǎo)通和開關(guān)性能，代替 Si IGBT 應(yīng)用于電力電子產(chǎn)品中。緊湊型驅(qū)動器板 UCC218XXXEVM-111 通過減少寄生效應(yīng)、更大限度地降低開關(guān)損耗和 EMI 并提供全面的必要保護(hù)和診斷特性來支持 SiC 模塊。
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 標(biāo)稱值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
電源電壓和電流 | ||||||
| Vcc | VCC 電源電壓 | 4.5 | 5.0 | 5.5 | V | |
| Vdd2u、Vdd2l | VDD 電源電壓 | 來自變壓器和 LDO | 15 | V | ||
| Vee2u、Vee2l | VEE 電源電壓 | 來自變壓器和并聯(lián)穩(wěn)壓器 | -4 | V | ||
| 驅(qū)動電流 | ||||||
| Ioh | 峰值拉電流 | CLOAD = 10nF | 5 | A | ||
| Iol | 峰值灌電流 | CLOAD = 10nF | 5 | A | ||
| 輸入/輸出信號 | ||||||
| Vinr、Vrstr | IN+、IN-、RST/EN 上升閾值 | 0.7 x VCC | V | |||
| Vinf、Vrstf | IN+、IN-、RST/EN 下降閾值 | 0.3 x VCC | V | |||
| Vinh、Vrsth | INL+、INU+、RST 遲滯 | 0.1 x VCC | V | |||
| 時(shí)序參數(shù) | ||||||
| Trise | 驅(qū)動輸出上升時(shí)間 | CLOAD = 1.8nF | 5 | ns | ||
| Tfall | 驅(qū)動輸出下降時(shí)間 | CLOAD = 1.8nF | 11 | ns | ||
| Tprop | 傳播延遲 | CLOAD = 100pF | 90 | ns | ||
短路保護(hù) - DESAT | ||||||
Ichg | 消隱電容器充電電流 | 500 | uA | |||
Tdesatleb | 前沿消隱時(shí)間 | 225 | ns | |||
Tdesatfil | DESAT 抗尖峰脈沖濾波器 | 125 | ns | |||
Issd | 峰值灌電流軟關(guān)斷峰值電流 | CL = 0.18μF，fS = 1kHz | 1 | A | ||
Vclmpi | 米勒鉗位閾值 | 以 VEE 為基準(zhǔn) | 1.5 | 2.1 | 2.5 | V |
Iclmpi | 米勒鉗位電流 | VCLMPI = 0V，VEE = –2.5V | 2.5 | A | ||
| 隔離 | ||||||
| Viso | 可承受的柵極驅(qū)動器隔離電壓 | 增強(qiáng)型，60s | 5000 | Vrms | ||
| Cio | 柵極驅(qū)動器的勢壘電容 | 1.2 | pF | |||
| Ta | 柵極驅(qū)動器的工作環(huán)境溫度 | -40 | 25 | 125 | °C | |
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 標(biāo)稱值 | 最大值 | 單位 | |
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電源電壓和電流 |
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| Vcc | VCC 電源電壓 | 4.5 | 5.0 | 5.5 | V | |
| Vdd2u、Vdd2l | VDD 電源電壓 |
來自變壓器和 LDO |
15 |
V | ||
| Vee2u、Vee2l | VEE 電源電壓 |
來自變壓器和并聯(lián)穩(wěn)壓器 |
-4 | V | ||
| 驅(qū)動電流 | ||||||
| Ioh | 峰值拉電流 | CLOAD = 10nF | 15 | A | ||
| Iol | 峰值灌電流 | CLOAD = 10nF | 15 | A | ||
| 輸入/輸出信號 | ||||||
| Vinr、Vrstr | IN+、IN-、RST/EN 上升閾值 | 0.7 x VCC | V | |||
| Vinf、Vrstf | IN+、IN-、RST/EN 下降閾值 | 0.3 x VCC | V | |||
| Vinh、Vrsth | INL+、INU+、RST 遲滯 | 0.1 x VCC | V | |||
| 時(shí)序參數(shù) | ||||||
| Trise | 驅(qū)動輸出上升時(shí)間 | CLOAD = 1.8nF |
5 |
ns | ||
| Tfall | 驅(qū)動輸出下降時(shí)間 | CLOAD = 1.8nF | 11 | ns | ||
| Tprop | 傳播延遲 | CLOAD = 100pF | 90 | ns | ||
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短路保護(hù) - DESAT |
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Ichg |
消隱電容器充電電流 |
500 |
uA |
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Tdesatleb |
前沿消隱時(shí)間 |
200 |
ns |
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Tdesatfil |
DESAT 抗尖峰脈沖濾波器 |
125 |
ns |
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Issd |
峰值灌電流軟關(guān)斷峰值電流 | CL = 0.18μF，fS = 1kHz | 2.5 |
A |
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Vclmpi |
米勒鉗位閾值 |
以 VEE 為基準(zhǔn) |
1.5 |
2.1 |
2.5 |
V |
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Iclmpi |
米勒鉗位電流 |
VCLMPI = 0V，VEE = –2.5V |
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A |
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| 隔離 | ||||||
| Viso | 可承受的柵極驅(qū)動器隔離電壓 | 增強(qiáng)型，60s | 5000 | Vrms | ||
| Cio | 柵極驅(qū)動器的勢壘電容 | 1.2 | pF | |||
| Ta | 柵極驅(qū)動器的工作環(huán)境溫度 | -40 | 25 | 125 | °C | |