為了盡可能減少開(kāi)關(guān)損耗，必須盡可能縮短開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升和下降時(shí)間。為了防止電場(chǎng)和磁場(chǎng)輻射以及高頻諧振問(wèn)題，采用合適的元件布局來(lái)盡可能簡(jiǎn)化高頻電流路徑環(huán)路非常重要。請(qǐng)仔細(xì)按照以下特定順序來(lái)實(shí)現(xiàn)正確的布局。
- 將輸入電容器盡可能靠近 PMID 引腳和 GND 引腳連接放置，并使用盡可能短的覆銅線跡連接或 GND 層。
- 將電感器輸入引腳放置在盡可能靠近 SW 引腳的位置。最大限度地減小此布線的覆銅面積，以減少電場(chǎng)和磁場(chǎng)輻射，但應(yīng)確保該布線足夠?qū)挘軌虺休d充電電流。不要為此連接并聯(lián)使用多個(gè)層。更大限度地降低從此區(qū)域到任何其他布線或平面的寄生電容。
- 將輸出電容器靠近電感器和器件放置。需要通過(guò)短銅引線連接或 GND 平面將接地接頭連接至 IC 接地端。
- 將去耦電容器靠近 IC 引腳放置，并盡量縮短引線連接。
- 確保過(guò)孔的數(shù)量和尺寸允許給定電流路徑有足夠的銅。
如需了解建議的元件放置方式以及布線和過(guò)孔位置，請(qǐng)參閱 EVM 設(shè)計(jì)。