ZHCUC64B August 2024 – May 2025 DRV8162 , INA241A , ISOM8710
在這些測試中,首先在低側(cè)通道中測量 PWM 信號(hào)與 MOSFET 柵極電壓之間的傳播延遲;然后測量高側(cè)和低側(cè)數(shù)字 PWM 之間的死區(qū)時(shí)間以及 MOSFET 的柵極電壓。圖 3-19 顯示了測試設(shè)置。
在這些測試中,系統(tǒng)使用 48V VIN,將電機(jī)設(shè)置為固定角度并采用開環(huán)控制。在 C 相中測量信號(hào),所有信號(hào)都以 GND 為基準(zhǔn)。
圖 3-20 和圖 3-21 顯示了導(dǎo)通和關(guān)斷中的傳播延遲。
圖 3-20 導(dǎo)通傳播延遲
圖 3-21 關(guān)斷傳播延遲導(dǎo)通延遲的測量值約為 200ns,關(guān)斷延遲的測量值約為 70ns。由于連接到 GND 的 3.3kΩ RDT 進(jìn)行 DT 引腳設(shè)置之后 DRV8162L 引入了額外的死區(qū)時(shí)間,因此導(dǎo)通延遲約 130ns。
圖 3-22 和圖 3-23 顯示了半橋從低電平切換到高電平(CL 的 CH2 和 CH 的 CH3)時(shí) PWM 信號(hào)的 200ns 死區(qū)時(shí)間和相應(yīng)的柵極電壓。
采用 DRV8162L 時(shí),高側(cè)和低側(cè)柵極電壓之間的死區(qū)時(shí)間增加到了約 340ns。
圖 3-24 和圖 3-25 顯示了半橋從高電平切換到低電平的情況。采用 RDT 設(shè)置時(shí),死區(qū)時(shí)間也增加到了約 340ns。
此 DRV8162L 自動(dòng)插入死區(qū)時(shí)間,并可以在 20ns 至 370ns 之間變化,具體取決于 RDT 值。有關(guān)詳細(xì)信息,請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表。